[发明专利]高频电路元件及其制造方法无效
| 申请号： | 97102436.7 | 申请日： | 1997-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1163486A | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 伴野国三郎;丸泽博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 电路 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电路元件，其特征在于包含：
第一磁性体；
附属于所属第一磁性体的硬磁体；
插在所述第一磁性体与所述硬磁体之间的铂系金属的薄膜。
2.如权利要求1所述的电路元件，其特征在于所述第一磁性体包含钙钒铁而所述硬磁体包含锶铁。
3.如权利要求1所述的高频电路，其特征在于进一步包含：
与所述第一磁性体相关的导电路径。
4.如权利要求3所述的电路元件，其特征在于所述第一磁性体为多片叠层而所述导体形成于所述多片上。
5.如权利要求1所述的电路元件，其特征在于所述第一磁性体和所述硬磁体基本上由在普通煅烧温度下形成的陶瓷材料组成。
6.如权利要求5所述的电路元件，其特征在于所述第一磁性体包含钙钒铁而所述硬磁体包含锶铁并且所述普通煅烧温度介于1250-1350℃之间。
7.如权利要求5所述的电路元件，其特征在于所述铂系金属的薄膜包含防止离子在煅烧所述磁性体期间迁移于所述第一磁性体和所述硬磁体之间的金属。
8.如权利要求1所述的电路元件，其特征在于所述铂系金属的薄膜包含防止离子在煅烧所述磁性体期间迁移于所述第一磁性体和所述硬磁体之间金属。
9.一种制造电路元件的工艺，其特征在于包含以下步骤：
形成第一磁性体的生片；
形成硬磁体的生片；
将所述两种生片层叠在一起，而把铂系金属的薄膜插在它们之间；
煅烧得到的叠层。
10.如权利要求9所述的电路元件，其特征在于所述磁性体包含钙钒铁而所述硬磁体包含锶铁。
11.如权利要求9所述的制造电路元件的工艺，其特征在于进一步包含的步骤有：
形成与磁性体生片相关的导电路径。
12.如权利要求11所述的制造电路元件的工艺，其特征在于所述第一磁性体以多片叠层方式形成而所述导体形成于所述多片上。
13.如权利要求9所述的制造电路元件的工艺，其特征在于所述第一磁性体和所述硬磁体基本上由在普通煅烧温度下形成的陶瓷材料组成。
14.如权利要求13所述的制造电路元件的工艺，其特征在于所述第一磁性体包含钙钒铁而所述硬磁体包含锶铁并且所述普通煅烧温度介于1250-1350℃之间。
15.如权利要求13所述的制造电路元件的工艺，其特征在于所述铂系金属的薄膜包含防止离子在煅烧所述磁性体期间迁移于所述第一磁性体和所述硬磁体之间的金属。
16.如权利要求9所述的制造电路元件的工艺，其特征在于所述铂系金属的薄膜包含防止离子在煅烧所述磁性体期间迁移于所述第一磁性体和所述硬磁体之间的金属。
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