[实用新型]脉冲半导体激光测距装置

权利要求书

1.脉冲半导体激光测距装置，包括：信号发射系统(1)、信号接收系统(3)、微处理器(7)、显示器(13)，其中微处理器是由CPU(D₁₀)、锁存器(D₁₃)、EPROM(D₁₄)及其外围电路组成的单片机系统，特征在于：信号发射系统由脉冲半导体激光器(14)、切边透镜(16)组成，信号接收系统由与切边透镜(16)切边紧贴的切边聚焦透镜(17)、限制光阑(18)、干涉滤光片(19)、雪崩光电二极管(20)组成，脉冲半导体激光器(14)与连在微处理(7)上的驱动电路(2)相连，雪崩光电二极管(20)连接在接收放大电路中，该电路分别与接在微处理器上的峰值采样电路(5)和成形电路(6)相连接。

2.由权利要求1所述的脉冲半导体激光测距装置，特征在于：发射系统(1)中加设一使脉冲半导体激光器LD转向的反光镜(15)。

3.由权利要求2所述的脉冲半导体激光测距装置，特征在于：发射系统(1)中装有内部校正光路装置(12)，所述内部校正光路装置(12)由电机(22)和与电机(22)连接的遮光板(23)、光路隔板(24)上的聚焦透镜(25)、反光器(21)组成。

4.由权利要求1或2或3所述的脉冲半导体激光测距装置，特征在于：驱动电路(2)由微处理器(7)的CPU提供SP信号，SP信号经反向门电路(D₅)与由反向门电路(D₆、D₇)、电阻(R₃₄)、电容(C₂₀)组成的积分型单稳态电路相连，并依次与反向门电路(D₈)、三极管(V₁₈、V₁₉)、功率场效应管(V₂₁)相连，振荡器(N₁)与功率场效应管(V₁₃)栅极相连，功率场效应管(V₁₃)的源极上连有电感线圈(L₂)，功率场效应管(V₁₃)依次与整流稳压元件(V₁₄、V₁₅、V₁₆、V₁₇)相连，脉冲半导体激光器LD并接在二极管(V₂₀)上，二极管(V₂₀)接在场效应管(V₂₁)的源极上。

5.由权利要求1或2或3所述的脉冲半导体激光测距装置，特征在于：接收放大电路包括：功率场效应管(V₈)、三极管(V₃、V₄)组成的放大电路，作为跟随器的三极管(V₅、V₆)，施密特触发器(D₁、D₂)组成的噪声成形电路(6)、施密特触发器(D₃、D₄)组成的回收信号成形电路(6)，噪声成形电路经三极管(V₉)之发射极与微处理器(7)脉冲调光信号PWM(10)经三极管(V₈)发射极共同连在三极管(V₇)之基极上组成的高压控制电路(11)。