[实用新型]金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器无效
| 申请号: | 96222434.0 | 申请日: | 1996-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN2294270Y | 公开(公告)日: | 1998-10-14 |
| 发明(设计)人: | 何进;俞振中;马可军;沈寿珍;许平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00 |
| 代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 高毓秋 |
| 地址: | 200083*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 有机化合物 沉积 技术 倒置 生长 反应器 | ||
1、一种金属有机化合物气相沉积技术倒置生长反应器,除石黑加热体外,其余均为石英制成,包括石墨加热块(1),石英搁架(4),在衬底片前方设置的Hg舟(5),Hg收集池(6),Hg舟和Hg收集池连接管(11),均在水平式常压开管腔体内,腔体外置有射频线圈(3),其特征在于:
a.腔体内靠近上腔壁,置有供放置外延衬底片的石英搁架(4),支撑衬底片(2),衬底外延面(9)向下,面向反应物主气流,石墨加热块(1)置于衬底上方,并紧贴衬底片(2);
b.在生长反应器的后部设有Hg收集池(6),其收集的Hg通过连接管(11)重新流回前部的Hg舟(5)。
2、根据权利要求1所述的一种金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器,其特征在于所说的在衬底片前方设置的Hg舟(5)上方设置有Hg蒸气导引片(8),在Hg蒸气导引片(8)的上方设置有Hg蒸气压调节板(10),通过Hg蒸气压调节板(10)位置的前后移动,调节反应器内的Hg蒸气压。
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