[实用新型]低感主回路交流变频调速器无效
| 申请号: | 96204237.4 | 申请日: | 1996-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN2265632Y | 公开(公告)日: | 1997-10-22 |
| 发明(设计)人: | 边文志 | 申请(专利权)人: | 唐山市普发电子有限公司 |
| 主分类号: | H02P7/63 | 分类号: | H02P7/63 |
| 代理公司: | 唐山专利事务所 | 代理人: | 王永红 |
| 地址: | 063020*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低感主 回路 交流 变频 调速器 | ||
本实用新型涉及一种低感主回路交流变频调速器,属于电器设备。
在逆变技术中,晶体管功率器件上作在高电压大电流开关状态,尤其在关断时,因大的电流变化率和寄生电感的存在,将在回路上产生尖峰电压,此电压迭家在直流高压上,对本来余量不大的反向安全工作区极为不利,是功率晶体管损坏的主要原因之一,尖峰电压除采用缓冲吸收电路进行适当的抑制外,尽力减小线路的寄生电感,则是一种更为主动的办法。经验表明,变频器完善的功能,取决于电路软硬件的综合设计,而整机的可靠性,除合理的电路优质器件以及严格的工艺保证外,主回路的整体结构设计起着举足轻重的作用。国内部分厂家生产的变频器,功率器件损坏率较高,基本上与主回路结构设计有关,因线路中布局不当,致寄生电感过大,加之缓冲吸收电路或因数值选配不当,元件不佳,跨距过大终导致尖峰电压较高,在一定条件下,造成功率器件损坏。功率器件厂家对寄生电感的建议值也是较为苛刻的,如1200V300AIGBT,其寄生电感值要求不大于0.1MH。布线长度仅为20厘米,显然器件的空间体积与小的寄生电感的布线要求是矛盾。用常规概念布线难以解决此项矛盾,为此,渴望有低感的主回路出现。
本实用新型的目的在于克服上述现有技术中的不足之处,而提供一种功率器件呈双列形布置,分层导体采用最短路径联接,尖峰电压小,回路寄生电感低的低感主回路交流变频调速器。
本实用新型的目的是这样实现的:它包括底板、分层导体主干、散热器,散热器安装在底板上,它的结构要点是:由六只一单元功率模快组成的三相输出逆变桥的三极管T1、T3、T5和T4、T6、T2置于散热器上,分别纵向排列在散热器中线两侧;T1、T4构成U相桥臂,其中T1的集电极与T4的发射极相对,分别接于正极汇流排P5、负极汇流排N4上,构成短距联接,T1的发射极与T4的集电极相对,通过输出汇流排Q1相连接,构成一组形结构;T3、T6构成V相桥臂,其中T3的集电极与T4的发射极相对,分别与正极汇流排P5和负极汇流排N4相连接,构成短距离联接,T3的发射极与T6的集电极相对,通过输出汇流排O2联接在一起,构成另一组形结构;T5、T2构成W相桥臂,其中T5的集电极与T2的发射极相对,分别与正极汇流排P5和负极汇流排N4相联接,构成短距联接,T5的发射极与T2的集电极C相对,通过输出汇流排O3联接在一起,T5、T2、O3构成第三组形结构;模块侧正极汇流排P5、负极汇流排N4与绝缘层H3构成一组分层导体低感结构,电容侧正极汇流排P1负极汇流排N1与绝缘层H2组成另一组分层导体低感结构;两主干之间连接有由霍尔元件HL1、快速熔断器BX1、分流器FL1、导电极P2、N2、中间层H2组成的过桥跨接单元。
本实用新型的目的还可以通过以下技术措施来达到:各桥臂吸收回路直接跨接于各自的集电极与发射极之间,构成短路径连接。霍尔元件HL1、HL2相对接。分层导体主干与底板垂直放置,呈条状结构。分层导体主干还可与底板水平放置,呈板状结构。
相比现有技术,本实用新型具有以下优点:
1、回路寄生电感低,整体步局简洁有序,各部件联接牢固;
2、尖峰电压低。尖峰电压在300A时仅为20余伏;
3、电气性能良好,工作稳定可靠;
4、板状或条状导体的中间夹有绝缘层,形成良好的分层导体低感结构。
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