[发明专利]有源矩阵基板无效
申请号: | 96191152.2 | 申请日: | 1996-10-02 |
公开(公告)号: | CN1165568A | 公开(公告)日: | 1997-11-19 |
发明(设计)人: | 佐藤尚 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1345;H01L29/78 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 | ||
1.一种薄膜元件的制造方法,包括下述(A)~(H)制造工序:
(A)在基板上形成栅极电极层及用与该栅极电极层相同材料构成的栅极电极材料层的工序;
(B)在上述栅极电极层及栅极电极材料层上形成栅极绝缘膜的工序;
(C)在上述栅极绝缘膜上,在具有和上述栅极电极层平面重迭的形态下形成沟道层和欧姆接触层的工序;
(D)形成连接于上述欧姆接触层的源极电极层及漏极电极层的工序;
(E)用刻蚀除去存在于上述源极电极层和漏极电极层之间的上述欧姆接触层的工序;
(F)形成保护膜以便复盖上述源极电极层、漏极电极层以及上述栅极电极材料层的工序;
(G)选择性地刻蚀存在于上述栅极电极层或上述栅极电极材料层上的上述栅极绝缘膜以及上述保护膜的部分重迭膜,形成使上述栅极电极层或栅极电极材料层的部分表面露出的第1开口,同时选择性地刻蚀上述源极电极层或漏极电极层上的上述部分绝缘膜形成使上述源极电极层或漏极电极层的部分表面露出的第2开口的工序;
(H)经由上述第1开口或第2开口把导电性材料层连接到上述栅极电极层、栅极电极材料层、上述源极层、漏极电极层的至少一个上的工序。
2.权利要求1中所述的薄膜元件的制造方法,其特征在于:
上述工序(G)中形成的上述第1开口是用于把布线连接到上述栅极电极材料层的连接孔,或是用于把外部端子连接到上述栅极电极材料层的开口。
3.权利要求1中所述的薄膜元件的制造方法,其特征在于:
上述导电性材料层由ITO(Indium Tin Oxide)构成。
4.一种有源矩阵基板,该基板的构成包含连到在配置成矩阵状的扫描线和信号线上的薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分,其特征在于:
具备设置在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置;
上述防止静电破坏用装置构成为包含连接薄膜晶体管中的栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管;
在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的绝缘层构成的第1开口和选择性地除去上述源、漏极电极层上的绝缘层构成的第2开口,而且,经由上述第1及第2开口,用和上述象素电极相同材料构成的导电材料层连接上述栅极电极层和上述源、漏电极层。
5.权利要求4中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第1开口贯通栅极电极材料层上的第1绝缘膜及该第1绝缘膜上的第2绝缘膜的重迭膜而形成,上述第2开口仅贯通源、漏极电极层上的上述第2绝缘膜而形成。
6.权利要求4中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述象素电极以及与象素电极相同材料构成的上述导电材料层由ITO(Indium Tin Oxide)膜构成。
7.权利要求4中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
与上述扫描线及上述信号线中至少一条线电等效的部位是用于连接外部端子的电极(压焊区),另外,上述共用电位线是在交流驱动液晶之际给出作为基准的基准电位的线(LC-COM线)或者液晶显示装置的制造阶段,把用于连接上述外部端子的电极共同连接起来形成等电位的线(保护环)。
8.权利要求7中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述防止静电破坏用保护装置设置在用于连接上述外部端子的电极(压焊区)和交流驱动上述液晶之际给出作为基准电位的线(LC-COM线)之间,以及将连接上述外部端子的电极(压焊区)和把连接上述外部端子的电极(压焊区)共同连接起来构成等电位的线(保护环)之间这两者上。
9.权利要求4中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述防止静电破坏用装置具备把第1二极管的阳极和第2二极管的阴极共同连接,把上述第1二极管的阴极和上述第2二极管的阳极共同连接构成的双向二极管。
10.一种液晶显示装置,
该装置使用权利要求4~权利要求9的任一项中所述的有源矩阵基板构成。
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