[发明专利]电介质电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电介质电容器，其特征在于，具备：

至少具有WO_x层、TiO_x层、TaO_x层、IrO₂层、PtO₂层、RuO_x层、ReO_x层、PdO_x层、OsO_x层中的任一氧化层，并且在上面形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层的下部电极、

形成于下部电极上的所述导体层上面，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、

在该电介质层上形成的上部电极。

2.根据权利要求1所述的电介质电容器，其特征在于，所述下部电极形成于基片上形成的二氧化硅层上面；所述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。

3.一种电介质电容器，其特征在于，具备：

下部电极、

形成于下部电极上，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、

形成于电介质层上面，至少具有WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO₂层、PtO₂层、RuO_x层、ReO_x层、PdO_x层、OsO_x层中的任一氧化层的上部电极。

4.根据权利要求3所述的电介质电容器，其特征在于，

上述下部电极形成于在基片上形成的二氧化硅层上，

上述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。

5.一种电介质电容器，其特征在于，具备：

至少具有WO_x层、TiO_x层、TaO_x层、IrO₂层、PtO₂层、RuO_x层、ReO_x层、PdO_x层、OsO_x层中的任一氧化层的下部电极、

形成于下部电极上，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、

形成于电介质层上，至少具有WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO₂层、PtO₂层、RuO_x层、ReO_x层、PdO_x层、OsO_x层中的任一氧化层的上部电极。

6.根据权利要求5所述的电介质电容器，其特征在于，

在所述氧化层上面，形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、Pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层、构成下部电极，在该导体层的上面形成强电介质层。

7.根据权利要求5或6所述的电介质电容器，其特征在于，

上述下部电极形成于在基片上形成的二氧化硅层上，

上述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。

8.一种电介质电容器的制造方法，其特征在于，包括：

在基片上用溅射方法形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、Pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一基底层的步骤、

使所述基底层的表面氧化的步骤、

在表面氧化的基底层上面形成强电介质膜或具有高介电常数的电介质膜作为电介质层的步骤、以及

在电介质层的上面形成上部电极的步骤。

9.一种电介质电容器的制造方法，其特征在于，具备：

在基片上形成下部电极的步骤、

在下部电极上面形成强电介质膜或具有高介电常数的电介质膜作为电介质层的步骤、以及

在电介质层上面用溅射形成WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO₂层、PtO₂层、RuO_x层、ReO_x层、PdO_x层、OsO_x层中的任一氧化层作为上部电极的步骤。