[发明专利]碳酰卤的制备

权利要求书

1一种制备碳酰卤用的电解槽，该电解槽包括

(a)进口装置，它用来将基本不含水的卤化氢和一氧化碳分子引入阳极室；

(b)氧化装置，它用来将基本不含水的卤化氢分子氧化成卤阴离子和质子，在该装置中，所述卤阴离子在阳极室中与一氧化碳发生反应，生成碳酰卤；

(c)出口装置，它用来从阳极室释出所生成的碳酰卤；

(d)阳离子输送装置，经其输送质子，该阳离子输送装置的一侧同氧化装置相接触；以及

(e)还原装置，它用来还原所输送的质子，并置于同阳离子输送装置的另一侧相接触的位置。

2．一种制备碳酰卤用的装置，该装置包括，

(a)一个电解槽，该电解槽包括，

(ⅰ)进口装置，它用来将基本不含水的分子态卤化氢和一氧化碳引入阳极室；

(ⅱ)氧化装置，它用来将基本不含水的分子态卤化氢氧化成卤阴离子和质子，在该装置中，所述卤阴离子在阳极室中与一氧化碳发生反应，生成碳酰卤，而且在该装置中，有一部分一氧化碳和一部分基本不含水的卤化氢未发生反应；

(ⅲ)出口装置，它用来从阳极室释出所生成的碳酰卤以及未反应的一氧化碳和未反应的无水卤化氢；

(ⅳ)阳离子输送装置，质子经该装置予以输送，其中，氧化装置的一侧同阳离子输送装置的一侧相接触；

(ⅴ)还原装置，它用来还原所输送的质子，并同阳离子输送装置的另一侧相接触。

(b)一个阳极侧分离器，它将基本上不含水的卤化氢和一氧化碳的未反应部分与碳酰卤隔离；

(c)一条循环管线，它用来将所隔离的未反应卤化氢和所隔离的一氧化碳循环到电解槽的进口装置。

3．权利要求2所述的电解装置，其中所述氧化装置为阳极，还原装置为阴极，阳离子输送装置为半透膜。

4．权利要求3所述的装置，该装置还包括一条卤化氢供给管线，它与进口装置相接，以向电解槽供应基本不含水的卤化氢。

5．权利要求4所述的装置，该装置还包括一条一氧化碳供给管线，它与进口装置相接，以向电解槽供应一氧化碳。

6．权利要求5所述的装置，其中所述卤化氢供给管线与电解槽之外的循环管线相接。

7．权利要求6所述的装置，其中所述一氧化碳供给管线与电解槽之外的循环管线相接。

8．权利要求3所述的装置，其中在阴极的另一侧设置一个阴极室，并使阴极侧进口和阴极侧出口与阴极室实现液体交流，此外还包括一张阴极侧分离器，它与阴极侧出口相连。

9．权利要求8所述的装置，该装置还包括一根循环管线，它置于阴极侧分离器和阴极侧进口之间。

10．一种制备碳酰卤的方法，该方法所包括的步骤为

(a)向电解槽阳极侧进口供应一氧化碳和基本不含水的分子态卤化氢，其中所述电解槽包括半透膜、阳极以及阴极，所述半透膜供输送阳离子之用，所述阳极与阳离子输送半透膜一侧相接触，所述阴极与阳离子输送半透膜另一例相接触；所供给的一氧化碳的化学计算量比基本不含水的分子态卤化氢过量；

(b)对电解槽施加电压，使阳极的电位高于阴极，并使

(ⅰ)将基本不含水的分子态卤化氢输送到阳极，使之在阳极上氧化，产生卤阴离子和质子，

(ⅱ)产生的卤阴离子与一氧化碳反应，生成碳酰卤；

(ⅲ)从电解槽的阳极侧出口释出所生成的碳酰卤；

(ⅳ)经电解槽中的阳离子输送半透膜输送质子；

(ⅴ)使所输送的质子在电解槽中的阴极上还原。

11．权利要求10所述的方法，其中有一部分基本不含水的卤化氢未发生反应，有一部分一氧化碳未发生反应，将所产生的碳酰卤与未反应的无水卤化氢和一氧化碳加以分离。

12．权利要求11所述的方法，其中将未反应无水卤化氢和未反应一氧化碳循环到电解槽中的阳极侧进口。

13．权利要求10所述的方法，其中使未反应卤化氢和未反应一氧化碳与新供入的无水卤化氢和新供入的一氧化碳混合。

14．权利要求13所述的方法，其中将未反应卤化氢、未反应一氧化碳与新供入无水卤化氢和新供入一氧化碳的混合物供到电解槽中的阳极侧进口。