[发明专利]异质结双极型晶体管无效
| 申请号： | 96122899.7 | 申请日： | 1996-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1158008A | 公开（公告）日： | 1997-08-27 |
| 发明（设计）人： | 采女丰;门岩薰;早藤纪生;紫村辉之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种异质结双极型晶体管，在把在发射极电极与集电极电极之间具备有发射极层，基极层和集电极层的多个晶体管并联形成的异质结双极型晶体管中，其特征是：
在上述各晶体管单元的发射极层与上述发射极电极之间具有由AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)构成的镇流电阻层。
2.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征是：
上述镇流电阻层的载流子浓度高于1×1017cm-3。
3.如权利要求1或2所述的异质结双极型晶体管，其特征是：
形成由半导体构成的倾斜连接层，使之与上述镇流电阻层的至少一面相连，
该倾斜连接层的带隙在其厚度方向上具有从与在上述镇流电阻层一侧上的该镇流电阻层的带隙大体上相等的值缓缓地变化到在与上述镇流电阻层相反一侧的，在该相反一侧与该倾斜连接层相连接的层的带隙大体上相等的值。
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