[发明专利]离子注入器中离子束形成的方法和装置无效
申请号: | 96122647.1 | 申请日: | 1996-10-18 |
公开(公告)号: | CN1160287A | 公开(公告)日: | 1997-09-24 |
发明(设计)人: | V·M·本文尼斯特 | 申请(专利权)人: | 易通公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,王岳 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 离子束 形成 方法 装置 | ||
1.一种从离束(14)中过滤粒子的方法,该方法包含以下步骤:
a)使离子束运动通过磁场区(120),
b)至少激励一个二极场产生线圈(122,123),在磁场区产生二极磁场(BO),
c)至少激励一个四极场产生线圈(130,131,132,133,134,135,136,137),在磁场区产生迭加在二极磁场上的四极磁场(Q1,Q2,Q3,Q4),和
d)控制对至少一个二极场产生线圈和至少一个四极场产生线圈的激励,以便当离子来在磁场区运动时,从离子速中过滤粒子。
2.权利要求1的方法,其特征在于运动步骤(a)包含使离子束经过可透磁的束导管(26)在磁场区运动的步骤。
3.权利要求1的方法,其特征在于所述激励步骤(b)包含以下步骤:
i)激励位于平分磁场区的平面(125)的第一侧的第一二极场产生线圈(122),和
ii)激励位于第一侧对面的平分平面的第二侧的第二二极场产生线圈(123)。
4.权利要求1的方法,其特征在于所述激励步骤(c)包括以下步骤:
i)激励位于平分磁场区的平面(125)的第一侧第一对四极场产生线圈(130,131),
ii)激励位于第一侧对面的平分平面的第二侧的第二对四极场产生线圈(136,137)。
5.权利要求1的方法,其特征在于包括确定冷却剂通过至少一个二极场产生线圈和至少一个四极场产生线圈的路线的步骤。
6.权利要求1的方法,其特征在于包含使过滤后的离子束穿过分析板(40)的孔和用过滤后的离子束处理靶的步骤。
7.权利要求1的方法,其特征在于运动步骤(a)包含使离子束运动至少穿过磁场区的二个顺序的区域(A,B,C)的步骤,以及
激励磁步骤(c)包含以下步骤:
i)激励第一组至少一个的四极场产生线圈(130,131,136,137),以便在磁场区的一个区域(A)产生四极磁场,
ii)激励第二组至少一个的四极场产生线圈(132,133),以便在磁场区的另一个区域(B)产生四极磁场。
8.权利要求7的方法,其特征在于所述控制步骤(d)包含有选择地控制对第一组至少一个的四极场产生线圈和对第二组至少一个的四极场产生线圈的激励的步骤。
9.权利要求8的方法,其特征在于所述激励步骤(c)包含激励第三组至少一个的四极场产生线圈(134,135)的步骤,以便在磁场区的另一个区域(c)产生四极磁场,和
其中控制步骤(d)包含有选择地控制对第三组至少一个的四极场产生线圈的激励的步骤。
10.权利要求1的方法,其特征在于包括以下步骤:
从离子源(12)发射离子并加束离子离开离子源,形成离子束,
把第一和第二弧形延伸的极靴(110,112)设置在离子束弧形渡越通道的每一侧,面向内的极面(114,116)设置在磁场中心平面(125)的相对的侧面,
沿弧形延伸的极靴至少设置一个二极场产生线圈,以便产生从所述第一和第二弧形延伸极靴中的一个到所述第一和第二弧形延伸极靴中的另一个的跨越磁场区的二极磁场,以及
在面向内的第一和第二弧形极靴的表面和磁场区之间放入多个所述至少一个的四极场产生线圈,
控制步骤(d)包含有选择地激励所述至少一个二极磁场产生线圈和所述四极场产生线圈的步骤,以便在极靴之间的磁场区形成受控制的四极磁场,
磁场区中的磁场截获从所述源出来的离子束子的离子,以便从离子束中有选择地过滤掉具有不同于规定的荷质比的离子。
11.权利要求10中的方法,其特征在于把所述第一和第二极靴中的每一个配置成多个弧形极靴段(110A,110B,110C),
所述极靴的每个极靴段支承所述至少一个的四极场产生线圈中的一个,以便产生沿极靴段的面的电流,
激励步骤(c)包含激励安装在相对的极靴极上的四极场产生线圈的步骤,以便使进入第一和第二极靴之间的顺序地交会的磁场区(A,B,C)的离子聚焦或散焦,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造