[发明专利]半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，它包含：

带有第一焊点的用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区；

制作在上述半导体集成电路制作区周围的用来将上述半导体集成电路切割成芯片的切割区；

存在于上述切割区上的第二焊点；以及

对上述第一焊点和第二焊点进行电连接并在上述半导体集成电路制作区上有弯曲的互连。

2.根据权利要求1的半导体晶片，其中所述的第二焊点的面积大于上述第一焊点的面积。

3.根据权利要求1的半导体晶片，其中所述的第二焊点制作在上述半导体集成电路制作区的周围，在上述半导体集成电路制作区周围的上述切割区中没有至少可制作一个上述第二焊点的空白区。

4.根据权利要求1的半导体晶片，其中

所述的半导体集成电路制作区由包含第一和第二半导体集成电路制作区的多个上述半导体集成电路组成，且

所述的互连包括多个包含第一和第二互连的上述互连，

上述第一互连电连接上述第二焊点和上述第一半导体集成电路制作区上的上述第一焊点并在上述第一半导体集成电路制作区上有弯曲，且

上述第二互连电连接上述第二焊点和上述第二半导体集成电路制作区上的上述第一焊点并在上述第二半导体集成电路制作区上有弯曲。

5.一种半导体器件，其是沿上述切割区切割带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于上述半导体集成电路制作区周围的切割区的互连的半导体晶片而形成，它有覆盖上述互连切割部位的绝缘膜。

6.一种半导体器件，其是沿上述切割区切割带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于上述半导体集成电路制作区周围的切割区的互连的半导体晶片而形成，其中在上述半导体集成电路制作区上的上述互连有弯曲。

7.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

制备半导体晶片，它带有从用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区延伸到形成于上述半导体集成电路制作区周围的切割区的互连；

借助于在上述半导体集成电路制作区和上述切割区之间的边界处形成沟槽的方法，切割上述互连；

在上述沟槽中制作覆盖上述互连的切割部位的绝缘膜；以及

沿上述切割区切割上述半导体晶片以便将上述半导体集成电路分割成芯片。

8.根据权利要求7的制造半导体器件的方法，其中在制作上述绝缘膜的上述步骤中，上述绝缘膜制作在上述半导体集成电路的除引线焊点以外的上述半导体集成电路制作区中和上述切割区中。