[发明专利]易燃易爆有毒及其它气体的测试方法

权利要求书

1、一种易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，使用半导体气体传感器，用不同的气敏材料和不同的气敏元件结构，其特征在于，先加热，加热的温度220℃～550℃，升温时间2～15秒，再降温，降温时间20～50秒进行周期性地变温测试，即得到不同气体的峰值曲线，以此判断气体的种类及浓度。

2、如权利要求1所述的易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，其特征在于，测甲烷时掺1.5％wtPd的SnO₂，气敏元件为厚膜型，气敏元件的加热温度为340℃，升温时间3秒，保温时间17秒，降温时间20秒，即出现甲烷的特征峰曲线。

3、如权利要求1所述的易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，其特征在于，测一氧化碳气体时，掺0.5％wtPd的SnO₂，气敏元件为厚膜型，加热温度为250℃，升温时间3秒，保温时间7秒，降温时间20秒，即出现一氧化碳的特征峰曲线。

4、如权利要求1所述的易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，其特征在于，测乙醇气体采用偏锡酸锌(ZnSnO₃)，气敏元件为薄膜型，加热温度为220℃，升温时间2秒，保温时间8秒，降温时间20秒，即得到乙醇气体的特征峰曲线。

5、如权利要求1所述的易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，其特征在于，测二氧化碳气体时，气敏材料采用α-Fe₂O₃，气敏元件为烧结型，加热温度为550℃，升温时间15秒，保温时间35秒，降温时间50秒，即出现二氧化碳的特征峰曲线。

6、如权利要求1所述的易燃易爆有毒及其它气体的测试方法，其特征在于，测氨气时，掺0.5％wtPd的ZnO，气敏元件为薄膜型，加热温度为260℃，升温时间2秒，保温时间10秒，降温时间20秒，即出现氨气的特征峰曲线。