[发明专利]大面积大功率器件硅片与钼散热垫板钎焊料无效

专利信息
申请号: 96111892.X 申请日: 1996-08-28
公开(公告)号: CN1050557C 公开(公告)日: 2000-03-22
发明(设计)人: 邓忠民;郑福前;谢明;刘建良;吕贤勇 申请(专利权)人: 昆明市贵金属研究所
主分类号: B23K35/28 分类号: B23K35/28
代理公司: 云南省专利事务所 代理人: 刘娟宜
地址: 650221 *** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 大面积 大功率 器件 硅片 散热 垫板 钎焊
【说明书】:

发明涉及铝银锗合金,用作大面积大功率器件硅片与钼散热垫板钎焊的钎焊料。

目前国内外使用铝或铝-硅共晶合金来钎焊大面积大功率器件硅片与散热垫板,其工艺为在700±20℃,真空或保护气氛中保温1小时进行钎焊。这种工艺由于需高温和长时间加热,这样造成铝(铝-硅合金)熔体会侵蚀硅片,使硅片的有效厚度减小,影响器件性能;其二,由于硅片,钼散热垫板热膨胀系数的差异,高的钎焊温度易使硅片碎裂和变形,影响器件的使用性能,甚至使器件报废。

本发明的目的在于克服铝(铝-硅)焊料的不足,提供一种熔化温度较低的新型焊料,使之能在较低温度下直接钎焊硅片与钼散热垫板,对硅片的侵蚀很少。

本发明的技术解决方案是:在铝中加入银,锗,选择加入硅,组成新的铝银锗合金钎焊料。

本发明合金钎焊料的组成(重量%)为:Ag5-52,Al30-70,Ge10-50,选择加入Si,Si加入量为0-6;最佳组成(重量%)为:Ag20-51,Al35-45,Ge14-35,Si选择加入量为0-6。 

合金中含Al、Ag、Ge、(Si),组成一个较低熔点的共晶型合金,加入Ag、Si是为了减少对Si片的侵蚀,加入Al,Ge是为了改善对Si片,钼散热垫板的浸润性,便于钎焊。

本发明的合金用液态轧制技术制备。

本发明的钎焊料的优点在于能降低钎焊温度,使Si片与钼散热垫板形成牢固的结合,减少焊料对Si片的侵蚀,其性能列于表1中。

表1.铝(铝-硅)与本发明钎焊料性能比较

    焊料名称  熔点℃  钎焊温度℃ 对Si片最大侵蚀    Al  660  700±20  90mm    Al-Si12  577  700±20  45mm    本发明  416-430  570±20  32mm

实施例:

 序号                成分(重量%) 开始熔化  温度℃ 熔化终止  温度℃  钎焊温度     ℃  Ag  Al  Ge  Si  1  52  34  14   416   429  570±20  2  36.8  32.74  30.46   418   433  570±20  3  22.41  44.7  32.89   418   432  570±20  4  5  45  50   421   431  570±20  5  31.2  44.8  18  6   417   497  570±20  6  51  34  14  1   416   437  570±20  7  10  70  20   416   574  650±20

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