[发明专利]透射型液晶显示器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96111648.X 申请日: 1996-08-12
公开(公告)号: CN1101555C 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: 岛田尚幸;梶谷優;岡本昌也;片山幹雄;咲花由和;山本明弘;中田幸伸;锦博彦;近藤直文;嶋田吉祐 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G09F9/35
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 孙敬国
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 透射 液晶显示 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示器件,其特征在于,它包含:

栅极引线;源极引线;以及开关元件,每一所述开关元件靠近排列在每一栅极引线和每一源极引线的交叉处,每一开关元件的栅极与所述栅极引线相连,开关元件的源极与所述源极引线相连,并且开关元件的漏极与像素电极相连,用来将电压施加到液晶层上,其中,

中间层绝缘膜位于所述开关元件、栅极引线和源极引线之上;

所述像素电极位于所述中间层绝缘膜上;

并且,电容比用下述等式表示:

                       电容比=Csd/(Csd+Cls)

此比值为10%或以下,其中Csd表示像素电极和源极引线之间的电容值,Cls表示与中间显示状态下每一像素对应的液晶部分的电容值。

2.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,还包括一储能电容器,用来保持施加在液晶层上的电压,所述储能电容器包括储能电容器电极、储能电容器副电极以及所述二电极间的绝缘膜;

其中,电容比用下述等式表示:

                       电容比=Csd/(Csd+Cls+Cs)

此比值为10%或以下,其中Csd表示像素电极和源极引线之间的电容值,Cls表示与中间显示状态下每一像素对应的液晶部分的电容值,而Cs表示每一像素的储能电容器的电容值。

3.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述像素电极和所述中间层绝缘膜是透明的。

4.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述像素电极与源极引线和栅极引线中的至少一种引线相互间沿引线宽度方向重叠1μm或以上。

5.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述中间层绝缘膜由有机材料制成,并且所述中间层绝缘膜的厚度为1.5μm或以上。

6.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述像素电极的形状为矩形,并且与栅极引线平行的一边比与源极引线平行的一边短。

7.如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,还包括一驱动电路,用来向源极引线提供一数据信号,所述数据信号的极性在每一水平扫描周期内均反转,并且所述数据信号是通过所述开关元件提供给所述像素电极的。

8.如权利要求2所述的液晶显示器件,其特征在于,所述储能电容器电极与源极引线形成于同一层中。

9.如权利要求2所述的液晶显示器件,其特征在于,所述储能电容器副电极是由一部分栅极引线形成的。

10.如权利要求2所述的液晶显示器件,其特征在于,所述像素电极和储能电容器电极是通过一接触孔连接的,而所述接触孔穿过所述储能电容器电极上方中间层绝缘膜而形成。

11.如权利要求7所述的液晶显示器件,其特征在于,极性相反的信号被输入到沿横向方向相邻的像素电极,并且每种信号极性都在每一水平扫描期间反相。

12.如权利要求7所述的液晶显示器件,其特征在于,所述液晶显示器还包括一副电极,它与像素电极相对并由AC驱动。

13.一种有源矩阵衬底,其特征在于,包含:

栅极引线;源极引线;以及开关元件,每一开关元件排列靠近在每一栅极引线和每一源极引线的交叉处,每一开关元件的栅极与所述栅极引线相连,所述开关元件的源极与所述源极引线相连,并且所述开关元件的漏极与一电极相连,用来形成一电容,其中,

一中间层绝缘膜位于所述开关元件、栅极引线和源极引线之上,

形成电容的所述电极位于所述中间层绝缘层上,并且电容比用下述等式表示:

电容比=Csd/(Csd+Cls)

此比值为10%或以下,其中Csd表示在形成电容的所述电极与所述源极引线之间的电容值,Cls表示与形成电容的电极相应的所述电容的电容值。

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