[发明专利]用于安装半导体芯片的引线框架

说明书

本发明涉及用于把半导体芯片密封在塑注封装中的模塑模具和用于模塑工艺的引线框架，尤其是涉及用于密封半导体芯片模塑模具和适用于该模塑模具的引线框架。

引线框架的一个典型例子如图1所示，标号1表示已有的引线框架。已有的引线框架1包括框架1a、布置成矩阵的引线焊盘结构1b和把引线焊盘结构1b连接至框架1a的连杆1c。在框架1a形成有对准孔1d，每个引线焊盘结构1b包括岛状区和引线。引线焊盘结构1b的矩阵偏离于框架1a的中央区域，在右侧及下侧留有宽的空余区，如图所示。此宽的空余区被指派为剩余部位和浇道，并将结合模塑阶段来说明剩余部位。

在已有的组装工艺中，把半导体芯片(未示出)安装在各个引线焊盘结构1b的岛形区，各个引线通过导线连接于半导体芯片的电极。

在模塑阶段，安装于已有的引线框架1的岛状区的半导体芯片被传送至装备有如图2所示的传送模塑模具2的传送模塑设备。  传送模塑模具2具有布置成矩阵的模腔阵列，浇口2b和把模腔2a与浇口2b连接的浇道2c和2d。尽管在图2中未示出，但在浇口2b中有一个可相互移动的活塞，通过浇道2c和2d从浇口2b向模腔2a提供合成树脂。模腔2a的阵列对应于引线焊盘结构1b的矩阵，把安装于引线框架1之上的半导体芯片置于模腔2a。

关闭传递模塑模具2，将引线框架1上的半导体芯片容纳于模腔2a。把熔化的树脂注入浇口2b，用活塞(未示出)对其加压。熔化的树脂通过浇道2c和2d流入各模腔，由此对引线框架上半导体芯片进行密封。

合成树脂固化之后，从传递模塑模具2中取出半导体器，亦即密封于合成树脂中的位于引线框架上的半导体芯片。

图3展示了另一种传递模塑模具3，第二种已有的传递模塑模具3也具有模腔3a的阵列，浇道3b和3c和浇口3d。第二种已有的传模塑模具3在浇道布置上不同于第一种已有的传递模塑模具2。亦即，浇道2d串联地连接各模腔2a至浇道2c，但是，浇道3c并联地连接浇道3b至模腔3a。

已有的模塑技术存在的问题是生产率低、生产量低和生产成本高。这是因为熔化的树脂4通过浇道2d/3c从浇道2c/3b分流进入模腔2a/3c，如图4所示。从浇口2b/3d至各模腔2a/3a的距离随模腔2a/3a的位置不同而变，在向最远的模腔2a/3a填充与向最近的模腔2a/3a填充之间发生时间滞后。直至所有模腔2a/3a均被熔化的树脂填充时要耗费较长时间周期，所以降低了生产率。

此外，在最远的模腔2a/3a与最近的模腔2a/3a之间存在传递压差，在最远的模腔2a/3a处会发生未填充。这导致生产量低。

熔化的树脂通过浇道2c/2d或者3b/3c流至模腔2a/3a，树脂不仅在模腔2a/3a固化，而且还在分配给浇道2c/2d或者3b/3c和浇口2b/3d的空余区固化。在空余区固化的合成树脂是无用的，所以导致浪费。因此，已有的模塑技术增大了半导体器件的生产成本。

如果按图5所示增多浇口5a，每个注口5a通过浇道5b和支浇道5c连接至模腔5d，可以改善生产率。但是，在靠近浇口5a的模腔5d与远离浇口5a的模腔5d之间仍存在传递压差，在远离浇口5a的模腔仍会发生未填充。多个浇口5a和浇道5b/5c仍旧浪费合成树脂，增大半导体器件的生产成本。

未审查的日本专利申请公开57-187945公开了一种引线框架6，如图6所示，引线焊盘结构6a布置成多于两行。即使采用引线框架6，生产率也只是稍有增大，此已有的模塑技术仍存在生产量低和生产成本高的问题。

未审查的日本专利申请公开61-276333公开了一种模塑模具7，如图7所示。该已有的模塑模具7在圆周上布置各模腔7a，各浇道7b从浇口7c放射地延伸至各模腔7a。熔化的树脂同时填充各模腔7a。因此，传递速度相当高，并且不会发生未填充。

但是，由中央浇口7c供给熔化的树脂，而浇口7c的剖面较大。因此，在剩余部位和浇道7b留有大量的剩余合成树脂，无法降低生产成本。

此外，已有的模塑模具7要求如图8所示的环形引线框架8。环形引线框架8包括外圆框架8a、内圆框架8b和在外圆框架8a和内圆框架8b之间连接的多个引线焊盘结构8c。引线焊盘结构8c被稀疏地布置，在内圆框架8b的内侧无引线焊盘结构8a。因此，已有的模塑模具7的生产率较低而兼容性较差。

本发明的一个重要目的是提供一种生产率高、生产量大而且生产成本低的模塑设备。

本发明的另一个重要目的是提供适合用于该模塑设备的引线框架。