[发明专利]光检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于包括：

由形成在第1导电类型半导体基板上的第2导电类型的第1杂质区和形成在该第1杂质区上的第1导电类型的第2杂质区构成的第1受光部分；

由上述第1导电类型半导体基板和形成在该半导体基板上的第2导电类型的第2杂质区构成的、具有与上述第1受光部分不同的光检测特性且和上述第1受光部分串联连接的第2受光部分；

从上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位输入上述第1及第2受光部分发生的光电流的差电流并进行放大的放大装置。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

上述放大装置具有由形成在上述第1导电类型半导体基板上的多个杂质区构成的放大器。

3.根据权利要求2所述的光检测装置，其特征在于：

构成上述放大器的多个杂质区中至少1个杂质区深度与上述第1、第2及第3杂质区中的至少1个杂质区深度相等。

4.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

给第1及第2受光部分施加反向偏置电压。

5.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

以第1受光部分和第2受光部分的面积比设定进行光检测的波段。

6.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：

第1及第2受光部分的表面形状相互交错。

7.一种光检测装置，其特征在于包括：

由用形成在第1导电类型半导体基板上的外延层构成的第2导电类型的第1杂质区和形成在该第1杂质区上的第1导电类型的第2杂质区构成的第1受光部分；

由上述第1导电类型半导体基板和用形成在该半导体基板上的上述外延层构成的第2导电类型的第3杂质区共同构成的、具有与上述第1受光部分不同的光检测特性且和上述第1受光部分串联连接的第2受光部分；

把上述外延层分隔为上述第1杂质区和上述第3杂质区的隔离区；

从上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位输入上述第1及第2受光部分发生的光电流的差电流并进行放大的放大装置。

8.根据权利要求7所述的光检测装置，其特征在于：

还具有由上述外延层构成的、并且用隔离区从上述第1及第3杂质区隔离的放大器形成区；

上述放大装置具有由形成在上述放大器形成区的多个杂质区构成的放大器。

9.根据权利要求8所述的光检测装置，其特征在于：

上述放大器是基区连接到上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位的双极型晶体管，上述基区深度和上述第2杂质区深度相等。

10.根据权利要求7所述的光检测装置，其特征在于：

给第1及第2受光部分上施加反向偏置电压。

11.根据权利要求7所述的光检测装置，其特征在于：

以第1受光部分和第2受光部分的面积比设定进行光检测的波段。

12.根据权利要求7记述的光检测装置，其特征在于：

第1及第2受光部分的表面形状相互交错。

13.一种光检测装置，其特征在于包括：

串联连接的第1受光部分及第2受光部分；

与上述第2受光部分并联连接并具有和上述第1受光部分相同的暗电流特性且被遮光的第3受光部分；

与上述第1受光部分并联连接并具有和上述第2受光部分相同的暗电流特性且被遮光的第4受光部分；

从上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位输入上述第1及第2受光部分发生的光电流的差电流并进行放大的放大装置。

14.根据权利要求13所述的光检测装置，其特征在于：

给第1-第4受光部分上施加相同的反向偏置电压。