[发明专利]现场吸气泵系统和方法

权利要求书

1、一种晶片处理系统，它包括：

处理室；

从包括分子泵、离子泵、低温泵和涡轮泵的组中选出的低压泵，所述的低压泵由能减小所述低压泵传导率的节流板连接到所述处理室上，所述低压泵用于从所述处理室中抽吸惰性气体；

将惰性气体源连接到所述处理室的阀门机构，以便使所述惰性气体能连续地流入所述处理室中并能被所述低压泵从所述处理室中连续地抽出；

配置在所述处理室内的并能在所述惰性气体流入所述处理室的过程中抽吸非惰性气体的现场吸气泵，所述的现场吸气泵基本不抽吸所述惰性气体，其中所述吸气泵包括吸气剂微型组件和最接近所述吸气剂微型组件设置的可以加热所述吸气剂微型组件的加热器；

连接到所述处理室的气体分析器；以及

连接到所述气体分析器并基于所述室内的气体组成选择性地控制所述加热器温度的控制器。

2、一种如权利要求1所述的晶片处理系统，它还包括连到所述处理室从所述室中抽吸所述惰性气体的高压泵。

3、一种如权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，选择由所述控制器控制的所述吸气剂微型组件的第一温度，以抽吸至少一种除氢气之外的非惰性气体，选择所述吸气剂微型组件的第二温度以抽吸氢气。

4、一种如权利要求3所述的晶片处理系统，其特征在于，所述加热器还能将所述吸气剂微型组件加热到第三温度，以便再生所述微型组件。

5、一种如权利要求3所述的晶片处理系统，其特征在于，所述吸气剂材料包括Zr-Al；所述第一温度范围是300-400℃；所述第二温度范围是25-100℃。

6、一种如权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述吸气泵包括多个吸气剂微型组件。

7、一种如权利要求6所述的晶片处理系统，其特征在于，所述多个吸气剂微型组件基本包括同种类型的吸气剂材料。

8、一种如权利要求6所述的晶片处理系统，其特征在于，至少两个所述的吸气剂微型组件包括至少两种不同类型的吸气剂材料。

9、一种如权利要求6所述的晶片处理系统，其特征在于，所述吸气泵包括多个与相应数目的所述吸气剂微型组件相联的加热器，以便控制所述相应数目吸气剂微型组件的温度。

10、一种晶片处理系统，它包括：

处理室；

配置在所述处理室内且装备有一个加热器的现场吸气泵系统，以便所述泵系统能在一个以上的温度下运行，这样能使不同的非惰性气体在不同温度下被优选地抽吸；以及

用于处理设置在所述处理室内的晶片的处理机构。

11、一种如权利要求10所述的晶片处理系统，它还包括：

连到所述处理室的气体分析器；和

其输入连到所述气体分析器上而其输出连到所述加热器上的控制器；

借此在所述室内气体混合物分析的基础上控制所述温度。

12、一种如权利要求11所述的晶片处理系统，其特征在于，第一温度被选择用来抽吸至少一种除氢气之外的非惰性气体，而第二温度被选择用来抽吸氢气。

13、一种如权利要求12所述的晶片处理系统，其特征在于，所述吸气剂材料包括Zr-Al；所述第一温度范围在300-400℃；所述第二温度范围在25-100℃。

14、一种如权利要求10所述的晶片处理系统，其特征在于，所述吸气泵系统装备有多个吸气剂微型组件，每个吸气剂微型组件与加热器相连，使得所述多个吸气剂微型组件的温度可被控制。

15、一种如权利要求10所述的晶片处理系统，它还包括：

连到所述处理室的气体分析器；和

其输入连到所述气体分析器上而其输出连到所述多个加热器上的控制器；

借此在所述室内气体混合物分析的基础上控制所述吸气剂微型组件的所述温度。

16、一种处理系统，它包括：

可密封的外壳；和

具有配置在所述外壳内的吸气剂材料的现场吸气泵系统，该现场吸气泵系统能在一个以上的温度下运行，这样可在所述外壳密封时在不同的温度下抽吸不同的非惰性气体。