[发明专利]薄膜致动反射镜阵列及其制造方法

权利要求书

1、一种用于光学投影系统的M×N薄膜致动反射镜阵列，其中M及N均为整数，各薄膜致动反射镜具有一双压电晶片结构，该阵列包括：

一有源矩阵，具有一顶表面并包括一带有一M×N连接端子阵列和一M×N晶体管阵列的基底；及

一M×N致动结构的阵列，各致动结构具有一近端和一远端，各致动结构包括一起第二偏置电极作用的第二薄膜电极、一具有一顶表面和一底表面的下电致位移元件、一起信号电极作用的中间薄膜电极、一具有一顶表面和一底表面的上电致位移元件及一起反射镜和第一偏置电极作用的第一薄膜电极，其中该上及下电致位移元件由中间薄膜电极所分开，第一薄膜电极位于上电致位移元件的顶表面上，第二薄膜电极位于下电致位移元件的底表面上，中间薄膜电极通过各连接端子与各晶体管电连接，及各致动结构的近端附连于有源矩阵的顶表面，从而形成具有双压电晶片结构的薄膜致动反射镜。

2、如权利要求1所述的阵列，其中第一薄膜电极与第二薄膜电极电连接。

3、一种用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列的制造方法，其中M及N均为整数，各薄膜致动反射镜具有一双压电晶片结构，该方法包括有以下步骤：

提供一有源矩阵，该有源矩阵具有一顶表面并包括一带有一M×N晶体管阵列和一M×N连接端子阵列的基底；

在有源矩阵的顶上淀积一薄膜待除层；

去除形成在有源矩阵上的各连接端子顶上的薄膜待除层部分；

在有源矩阵包括薄膜待除层的顶上形成由第二导电材料制成的第二薄膜电极层；

去除有源矩阵中的各连接端子上形成的第二薄膜电极层部分；在有源矩阵及第二薄膜电极层的顶上淀积下电致位移层；

形成一M×N空洞阵列，各空洞具有一内表面并从下电致位移层的顶部延伸至各连接端子的顶部；

在下电致位移层包括各空洞内表面的顶上形成由第一导电材料制成的一中间电极层；在中间电极层的顶上淀积一上电致位移层，同时填充这些空洞；

在上电极致位移层的顶上形成由导电且反光材料制成的第一薄膜电极层，从而形成一包括有第一薄膜电极层、上电致位移层、中间电极层、下电致位移层、和第二薄膜电极层的多层结构；

将该多层结构形成一M×N半成品致动结构的阵列，其中各半成品致动结构包括一第一薄膜电极、一上层电致位移元件、一中间薄膜电极、一下层电致位移元件、和一第二薄膜电极；及去除薄膜待除层，从而形成M×N薄膜致动反射镜阵列。

4、如权利要求3所述的方法，其中上及下电致位移层由结晶不对称材料制成。

5、如权利要求4所述的方法，其中，该结晶不对称材料为ZnO。

6、如权利要求3所述的方法，其中上及下电致位移层的形成厚度为0．1-2μm。

7、如权利要求3所述的方法，其中上及下电致位移层利用真空蒸镀或溅射法形成。

8、如权利要求3所述的方法，其中薄膜待除层是由氧化物或聚合物制成。

9、如权利要求3所述的方法，其中薄膜待除层是这样形成的：如果该薄膜待除层是由氧化物制成的，则采用溅射法或真空蒸镀法；而如果该薄膜待除层是由聚合物制成的，则采用旋转镀膜法。

10、如权利要求3所述的方法，其中第一薄膜、第二薄膜及中间薄膜电极层是通过采用溅射法或真空蒸镀法形成的。

11、如权利要求3所述的方法，其中第二薄膜电极层、中间电极层和第一薄膜电极层的形成厚度为0．1-2μm。