[发明专利]具有由氧化钇分隔的磁光膜层的磁光记录介质无效

专利信息
申请号: 95195317.6 申请日: 1995-07-18
公开(公告)号: CN1158667A 公开(公告)日: 1997-09-03
发明(设计)人: 迈克尔斯·B·欣茨 申请(专利权)人: 伊美申公司
主分类号: G11B11/10 分类号: G11B11/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨国旭
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 氧化钇 分隔 磁光膜层 记录 介质
【权利要求书】:

1.一种磁光记录介质(12,100),包括一个透明基片(14)和在其上的磁光叠层,该叠层包括许多层小于10nm厚的磁光膜(20,30,40,50,60,和70),其中相邻层是由一个基本上由YOx组成的介电层(25,35,45,55,和65)分隔的。

2.根据权利要求1所述的介质,其中每个介电层至少为1nm厚。

3.根据权利要求2所述的介质,其中磁光膜包括TbFeCo。

4.根据权利要求2所述的介质,其中磁光膜层厚度小于约4nm。

5.根据权利要求4所述的介质,其中磁光叠层包括至少6个磁光膜层。

6.根据权利要求1所述的介质,其中YOx接近Y2O3

7.根据权利要求1所述的介质,其中在磁光叠层与基片之间和叠层的对端上进一步提供介电层(15和75)。

8.根据权利要求7所述的介质,其中相邻磁光膜层又被一个透明间隔层(110)相互分开。

9.一种磁光记录介质(12),按序包括:

一个透明基片(14);

一个磁光膜叠层,至少包括三个包含TbFeCo的磁光层(20,30,和40),每层厚度小于约10nm,其中相邻层是由一个基本上由Y2O3组成的厚度至少为1nm的介电层分隔的;以及

一个保护层(78)。

10.一个磁光记录系统(10),包括:

一个磁光记录介质(12,100),包括一块透明基片(14)和在其上的磁光叠层,叠层包括许多厚度小于10nm的磁光膜层(20和30),其中相邻层是由一个基本上由Y2O3组成的介电层(25)分隔的;

一个聚焦激光器(80),其激光束被配置成通过基片进入介质;其中激光束能够将至少一个磁光层加热至足够高的温度,而让所述的至少一个磁光层可以反磁化;以及

一个光检测器(90),被放置成检测从介质出来的反射激光束。

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