[发明专利]连接装置无效
| 申请号: | 95192228.9 | 申请日: | 1995-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN1063895C | 公开(公告)日: | 2001-03-28 |
| 发明(设计)人: | M·O·J·黑德堡 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,张志醒 |
| 地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接 装置 | ||
1.一种连接装置,呈现电阻特性并具有一定电阻值,而且连接在两导体之间(L1至L2,L1至0和/或L2至0),所述连接装置包括:
多个晶体管(NT50-NT74),它们连接在所述的两导体之间;
至少一个控制连线(51),连接至成组配置的多个晶体管(NT54,NT55;NT51,NT58)中的每一个,用于将所述多个晶体管中的所述晶体管组连接至多个可能的导体之一,所述成组配置的晶体管响应于所述控制连线(51)上的模拟或数字控制电压而开启和关断,
其中所述控制电压是这样选择的,即,每一成组配置的晶体管的工作点至少靠近所述每一晶体管呈现电阻特性的范围。
2.根据权利要求1的连接装置,其中,所述每一晶体管为具有漏极、源极和栅极的CMOS晶体管,连接至每一成组配置的晶体管的所述控制连线(51)的一个控制端子由所述栅极构成。
3.根据权利要求1的连接装置,其中,控制电压在所述每一晶体管的有源区中选择为高电平。
4.根据权利要求2的连接装置,其中,电压在漏极和源极之间以及在所述每一晶体管的有源区中选择为低电平。
5.根据权利要求1的连接装置,其中,多个控制连线(51-54)中的第一控制连线(51)与所述多个晶体管中的第一组晶体管(NT54,NT55;NT51,NT58)配合,而所述控制连线(51-54)中的第二控制连线(52)与所述多个晶体管中的第二组晶体管配合。
6.根据权利要求5的连接装置,其中,第一组中晶体管的预选数量不同于第二组中晶体管的预选数量。
7.根据权利要求1的连接装置,其中,所述的多个晶体管为NMOS晶体管。
8.根据权利要求1的连接装置,其中,所述导体之一传输数字信息传递电压脉冲。
9.根据权利要求8的连接装置,其中,所述的另一导体呈现基准电压。
10.根据权利要求1的连接装置,其中,该连接装置是作为与信号接收单元相关的终接阻抗连接的。
11.根据权利要求1的连接装置,其中,所述控制电压是通过一个连接设备(60)控制的。
12.根据权利要求11的连接装置,其中,所述连接设备包括多个模拟传输门(61-64)。
13.根据权利要求12的连接装置,其中,每一传输门的第一部分是由一个控制信号(66)直接开启或关断的,而每一传输门的第二部分是由一个控制电路(65)开启或关断的。
14.根据权利要求13的连接装置,其中,所述控制电路包括一个信号倒相电路(65)。
15.根据权利要求12的连接装置,其中,一个控制连线(51)连接至一个模拟传输门(61)。
16.根据权利要求15的连接装置,其中,在所述的多个模拟传输门中选择的多个模拟传输门的控制电压(67-70)具有数字化的电压值。
17.根据权利要求15的连接装置,其中,在所述的多个模拟传输门中选择的多个模拟传输门的控制电压(67-70)具有模拟电压值。
18.根据权利要求1的连接装置,其中,一个控制连线由一个调整电路供给电压值,此调整电路产生与选择的终接基准相应的经调整的控制电压。
19.根据权利要求1的连接装置,其中,所述的每一晶体管的规格是如此选择的,即,所述每一晶体管呈现大的电阻特性范围。
20.根据权利要求1的连接装置,其中,所述每一晶体管的漏极和源极之间的电压低于1.5V。
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