[发明专利]在录像机磁头及磁头鼓上涂敷金钢石类碳的方法及装置

权利要求书

1、一种在录像机磁头及磁头鼓上涂敷金刚石类碳的装置，包括：

一个真空箱，包括有若干个阴极，它们分别用来蒸发Ar、SiO、Ti以及金刚石类碳，以及一根位于其底部中心处的心轴；以及

安装在真空箱所述心轴上的上、下支承架以及若干根支承杆；

所述下支承架随心轴旋转，而所述支承杆除随心轴转动外还自转。

2、如权利要求1所述的装置，其特征在于，它还包括一个呈矩形箱子状的磁头支架，用以在所述支承杆上安装若干个磁头，箱的底部有一孔眼，支承杆穿过该孔眼而插入，还有一矩形开口，磁头的未端通过该开口从它的一个侧壁上伸出。

3、如权利要求1所述的装置，其特征在于，Ar阴极具有四个屏极，它们在真空箱的一个侧壁上沿一直线排列；Ti阴极具有二个屏极，它们相互面对面设置；SiO阴极采用钼管的形式，位于真空箱顶部中心处，其侧面具有若干个孔眼；二个碳阴极分别设置在上侧部和与该上侧部呈对角的下部。

4、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的Ar、SiO、Ti以及碳阴极用弧方法加热。

5、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空箱是通过位于其下部的一台真空泵抽真空的。

6、一种在录像机磁头上涂敷金刚石类碳的方法，包括如下步骤：

将磁头放入一真空箱的内部并将真空度调至15×10^-4～1.5×10^-6乇；

由Ar阴极产生出Ar⁺离子以清洗磁头表面；

由一SiO阴极蒸发SiO5～10分钟以在清洗后的磁头上形成一层厚度为4000A的附着强化层；

由Ti阴极蒸发Ti以在所述附着强化层上形成一层Ti附着层；以及

在20C的温度下由葡萄形的C₈或C₁₂金刚石类碳阴极蒸发金刚石类碳20～90分钟，以在所述Ti附着层上形成一层厚度为500A～2μm的薄层。

7、如权利要求6所述的方法，其特征在于，它还包括在将磁头放入真空箱之前用离子水洗涤磁头、再用纯水进行冲洗、在一远红外炉中对所述磁头进行烘干、然后进行超声波清洗的初始步骤。

8、如权利要求6所述的方法，其特征在于，通过控制SiO及Ti附着层的厚度来改变涂层的颜色。

9、一种在录像机磁头鼓上涂敷金刚石类碳的方法，包括以下步骤：

将磁头鼓放入一真空箱的内部，调整其真空度为15×10^-4～1.5×10^-6乇；

由一Ar阴极产生出Ar⁺离子，对磁鼓表面进行清洗；

由一Ti阴极蒸发Ti，以在清洗后的磁鼓表面上形成一层Ti薄膜；

由一SiO阴极蒸发SiO，以在所述Ti薄膜上形成一层SiO薄膜；

由Ti阴极蒸发Ti，以在所述SiO薄膜上形成一层Ti薄膜；以及

由一金刚石类碳阴极蒸发金刚石类碳，以在Ti薄膜上形成一层金刚石类碳薄膜。

10、如权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤三与四之间以及步骤四与五之间均有1-5分钟的间隔。

11、如权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤二的Ti薄膜通过蒸发Ti2-20分钟而形成50A～3μm的厚度。

12、如权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤三的SiO薄膜其厚度为200A～2μm，通过蒸发SiO1～30分钟而形成200A～2μm的厚度。

13、如权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤四的Ti薄膜通过蒸发Ti1～30分钟而形成50A～3μm的厚度。

14、如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金刚石类碳膜通过蒸发金刚石类碳10～120分钟而形成50A～3μm的厚度。

15、如权利要求9所述的方法，其特征在于，磁头鼓的颜色通过控制所述SiO薄层厚度来改变。