[发明专利]半导体器件中多层互连的形成方法无效
| 申请号： | 95121000.9 | 申请日： | 1995-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1049069C | 公开（公告）日： | 2000-02-02 |
| 发明（设计）人： | 本间哲哉;关根诚 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 多层 互连 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件中多层互连的形成方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上形成氧化硅膜；
在第一氧化硅膜上形成第1光刻胶膜图形；
使被光刻胶膜图形覆盖的氧化硅膜表面暴露于过饱和氢硅氟酸溶液中，用第1光刻胶膜图形作掩模，在氧化硅膜上选择淀积含氟氧化硅膜；
除去第1光刻胶膜图形，在含氟氧化硅膜中形成第1槽；
在第1槽内选择形成第1互连；
在器件的整个表面上形成主要含氧化硅的层间绝缘体；
层间绝缘体经干式刻蚀并随后光刻，形成层间绝缘体中的通孔；
在通孔内选择构成导电膜；
选择构成覆盖通孔内导电膜的第2光刻胶膜图形；
使被第2光刻胶膜覆盖的器件的整个表面暴露于过饱和氢硅氟酸溶液中，用第2光刻胶膜图形作掩模，选择构成层间绝缘体上的第2含氟氧化硅膜；
除去第2光刻胶膜图形，在第2含氟氧化硅膜中构成第2槽。
2.按权利要求1的方法，其特征是在含氟氧化硅膜形成中，氢硅氟酸溶液的温度保持在35℃，以设定1升氢硅氟酸溶液中铝的溶解度为0.5克/小时。
3.按权利要求1的方法，其特征是，构成第1和第2互连的各工艺步骤包括下列步骤：
用溅射法在器件的整个表面形成钛膜；
用溅射法在钛膜上形成氮化钛膜；
用热化学汽相淀积法按下列步骤在氮化钛膜上形成铝膜；
用氢气载体在30℃温度下用冒泡法汽化二甲基铝烷AlH(CH3)2；和
将已汽化的二甲基铝烷AlH(CH3)2送入反应室，氢气流量控制在250sccm，衬底温度保持在250℃，反应室压力保持在130Pa。
4.按权利要求1的方法，其特征是，形成导电膜的步骤包括下列步骤：
用溅射法在器件的整个表面形成钛膜；
用溅射法在钛膜上形成氮化钛膜；
用热化学汽相淀积法按以下步骤在氮化钛膜上形成铝膜；
用氢气载体在30℃温度下用冒泡法汽化二甲基铝烷AlH(CH3)2；和
将已汽化的二甲基铝烷送入反应室，衬底温度保持在250℃，反应室压力保持在130Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95121000.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属表面活性剂对分子筛进行改性的方法
- 下一篇：制备铬酸钠熟料的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
