[发明专利]在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法

权利要求书

1.一种在多晶硅层表面上带有薄层电阻的第一高熔点金属硅化物连续层的制造方法，其特征在于，该方法包括下列顺序步骤：

在所述单晶硅衬底上形成所述氧化层；

在所述氧化层上形成所述多晶硅层；

淀积一层熔点高于所述第一高熔点金属熔点的第二金属，所述第二金属能够形成第二金属硅化物，使其只在超过0.6倍的所述第二金属硅化物熔解的绝对温度下才呈现高温不稳定性，所述第二金属这样选择，使得在由所述第二金属硅化物呈现出高温不稳定性的温度高于半导体器件在制造或随后的工作期间应经历的温度；

在第二金属的所述层上淀积一层所述第一高熔点金属；以及

迅速将上述步骤所得结构退火，以使所述第一高熔点金属和所述多晶硅层起反应，以形成所述第一高熔点金属硅化物层，并使所述第二金属和所述多晶硅层起反应，以形成一层所述第二金属硅化物层；

其中所述第一高熔点金属是钛。

2.如权利要求1的方法，所述高温至少是950℃。

3.如权利要求2的方法，其中所述钛淀积的厚度范围为400-600。

4.如权利要求3的方法，其中所述第二金属选自钽、钼和钨的组合。

5.如权利要求4的方法，其中所述第二金属淀积的厚度范围为100-200。

6.如权利要求2的方法，其中所述第二金属选自钽、钼和钨的组合。

7.如权利要求6的方法，其中所述第二金属淀积的厚度范围为100-200。