[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：

在基板上形成非晶硅膜；和

使该非晶硅膜的一部分选择性地结晶化；

其特征在于，所述方法还包括下列步骤：

利用使该非晶硅膜选择性地结晶化而得的非晶硅区域与该非晶硅膜上未被结晶化的非晶硅区域的边界进行掩模对准；及

根据该掩模对准使该非晶硅膜形成图样。

2．一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：

在基板上形成非晶硅膜；

其特征在于，所述方法还包括下列步骤：

在该步骤之前或后将促进该非晶硅膜结晶化的触媒元素选择性地加入该非晶硅膜；

借加热使该非晶硅膜选择性地结晶化、同时在选择性地加入该触媒元素的区域的周边上沿与基板表面大致平行的方向结晶生长；

利用位于与基板表面大致平行的方向上结晶生长所形成的结晶硅区域的外周边上的该结晶硅区域与未结晶化的非晶硅区域的边界进行掩模对准；及

根据该掩模对准使该非晶硅膜形成图样而形成有源区域。

3．根据权利要求2的半导体器件的制造方法，其特征在于，该触媒元素选自Ni、Co、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Al、P、As及Sb中的至少一种元素。

4．一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：

在基板上形成非晶硅膜；

使该非晶硅膜的被选择的区域结晶化；

其特征在于，所述方法还包括下列步骤：

借此形成由该被选择的结晶化区域与非晶硅区域的边界所定义的掩模对准记号；及

用该掩模对准记号进行掩模对准。

5．根据权利要求4的半导体器件的制造方法，其特征在于，该形成掩模对准记号的步骤包含先使该非晶硅膜的该被选择的区域内的籽晶结晶区域结晶化，使结晶生长从该籽晶结晶区域向横向进行，再使该掩模对准记号的大小随结晶生长而长大。

6．根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于，该形成掩模对准的步骤包含使第2掩模对准记号与该掩模对准记号的位置一致的步骤，且该第2掩模对准记号由规律地排列的多个曲线和/或直线所构成。

7．根据权利要求6的半导体器件的制造方法，其特征在于，该第2掩模对准记号由同心圆状排列的3个以上封闭曲线所构成。

8．根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于，该形成掩模对准记号的步骤包含在该非晶硅膜的该籽晶结晶区域中选择性地加入促进非晶硅膜的结晶化的触媒元素的步骤。

9．根据权利要求8的半导体器件的制造方法，其特征在于，该触媒元素为选自Ni、Co、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Al、P、As及Sb中的至少一种元素。