[发明专利]批可擦除不挥发存储器装置和擦除方法

权利要求书

1.一种不挥发存储装置，包括：

大量存储单元，这些存储单元存贮着阈值电压值的信息；

一个命令译码器，用来对提供的命令译码；以及

一个控制电路，它根据所说的命令译码器的译码结果，形成一专门的操作；其中所说的大量存储单元各自具有浮栅，并且所说的控制电路用所说命令译码器，根据阈值电压变化操作所指示的命令译码器，根据阈值电压变化操作所指示的命令译码结果，形成第一吸出操作，注入操作和第2吸出操作；所说的第一吸出操作用来从浮栅上放出电子以设置所说的大量存储单元的阈值电压，该电压比第一个电压更低；所说的注入操作是向浮栅注入电子，以设置存储单元的阈值电压，这些被确定的电压高于0V而低于第2个电压；在所说第一次放电操作以后比所说的第2电压高；所说的第2吸出操作，用来从浮动栅上放出电子以设置所说的大量存储单元的阈值电压，该电压将高于所说电子注入操作以后的0伏。

2.根据权利要求1的不挥发存储的装置，其中所说的不挥发存储器装置还包括从提供的电源电压产生第一和第二电压的电压发生器电路。

3.根据权利要求2的不挥发存储器装置，其中所说的存储单元的控制栅上连接大量的字线，而所说的第一和第二电压被选择性地提供给所说的大量字线。

4.根据权利要求1的不挥发存储装置，其中所说的大量存储单元的每一个有一个控制栅在其上形成所说的浮栅，而且还有一半导体区域对在所说的浮栅上形成。

5.根据权利要求4的不挥发存储装置，其中提供给所说的存储单元的控制栅的内部电压同提供给所说第一放电操作中，半导体区域对之一的内部电压之间的差别大于提供给所说存储单元的控制栅的内部电压同提供给所说的第二放电操作中，所说半导体区域对之一的内部电压之间的差别。

6.根据权利要求1的不挥发存储的装置，其中注入操作以热电子实现。

7.根据权利要求1的不挥发存储器装置，其中所说第一放电操作，所说注入操作和所说第二放电操作被执行以擦除存储在所说大量存储单元中的数据。

8.根据权利要求5的不挥发存储器装置，其中所说的半导体区域对之一是一源区。

9.根据权利要求8的不挥发存储装置，其中在所说的第一放电操作中提供给源区的电压低于在所说的第二放电操作中提供给源区的电压。

10.一种阈值电压改变的方法，通过吸出注入到所说大量存储单元浮栅上的电子来改变阈值电压，这些存储单元分别具有控制栅，浮栅和一对半导体区域，包括：

第一吸出操作，从所说浮栅吸出电子使所说的大量存储单元的阈值电压低于第一电压。

注入操作，向浮栅注入电子，以形成这些存储单元的阈值电压，这些阈值电压被确定成0V或大于0V；被确定的电压比第二电压低，比第一吸出操作以后的所说第二电压高；且

第二吸出操作，从所说的浮栅吸出电子使所说的大量存储单元的阈值电压在所说的注入操作以后比0V高。

11.根据权利要求10的一种阈值电压的改变方法，其中提供给所说的存储单元的控制栅的电压同在所说第一放电操作中提供给所说半导体区域对之一的电压之间的差别大于提供给所说存储单元的控制栅的电压同在所说的第二放电操作中提供给半导体区域对之一的电压之间的差别。