[发明专利]保护膜用材料和具有用该材料形成的保护膜的磁头

权利要求书

1．一种用于磁头的保护膜的非晶质材料，其特征在于，至少其一部分中包括成分CaMgSi₂O₆的区域，上述区域的原子配置是Ca以八配位与O结合，Mg以六配位与氧结合，Si以四配位与O结合。

2．按照权利要求1所述的非晶质材料，其特征在于，它还包括成分Mg₂SiO₄的区域，上述成分Mg₂SiO₄区域的原子配置是Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

3．一种用于磁头的保护膜，其特征在于，至少其一部分包括成分CaMgSi₂O₆区域，所述区域的原子配置是Ca以八配位与O结合，Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

4．按照权利要求3所述的保护膜，其特征在于，它还包括成分Mg₂SiO₄区域，上述成分Mg₂SiO₄区域的原子配置是Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

5．按照权利要求3所述的保护膜，其特征在于，所述区域是链状硅酸盐形的结构。

6．按照权利要求4所述的保护膜，其特征在于，所述成分MgSiO₄区域是岛状硅酸盐型的结构。

7．按照权利要求3所述的保护膜，其特征在于，所述保护膜整体是非晶质。

8．按照权利要求3所述的保护膜，其特征在于，所述区域是结晶体。

9．一种磁头，其特征在于，它包括：其物理量随记录介质的磁化而变化的磁性体部；将上述磁性体部物理量的变化变换成电信号的变换器；支承上述磁性体部和变换器的基体；在与上述基体的记录介质相对面的至少一部分设置的保护膜；所述保护膜至少其一部分中包括成分CaMgSi₂O₆区域，上述区域的原子配置是Ca以八配位与O结合，Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

10．按照权利要求9所述的磁头，其特征在于，所述保护膜还包括成分Mg₂SiO₄区域，上述成分Mg₂SiO₄区域的原子配置是Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

11．按照权利要求9所述的磁头，其特征在于，所述基体由铁酸盐构成。

12．按照权利要求9所述的磁头，其特征在于，所述基体由陶瓷构成。

13．一种磁头装置，其特征在于，它配备有：多个磁头，使上述磁头露出于侧面那样设置的旋转体，用以传输上述磁头的电信号的信号传输电路，用以使上述旋转体旋转的旋转驱动部，所说的磁头包括：其物理量随记录介质的磁化而变化的磁性体部，将上述磁性体部物理量的变化变换成电信号的变换器，支承上述磁性体部和变换器的基体，配置在与上述基体的上述记录介质相对面的至少一部分上的保护膜，所说的保护膜至少其一部分中包括成分CaMgSi₂O₆区域，上述区域的原子配置是Ca以八配位与O结合，Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。

14．按照权利要求13所述的磁头装置，其特征在于，所述保护膜还包括成分Mg₂SiO₄区域，上述成分Mg₂SiO₄区域的原子配置是Mg以六配位与O结合，Si以四配位与O结合。