[发明专利]直接圆片结合结构和方法

权利要求书

1.一种用于制作直接圆片结合结构的方法，其特征在于以下步骤：

提供具有一个第一和第二表面的、第一传导率型的有源衬底(11)，

在有源衬底(11)的第一表面上，形成一个高温金属氮化物层(16)，

在高温金属氮化物层上(16)，沉积一层光致抗蚀剂层(21)，

选择地将光致抗蚀剂层(21)曝光，

将光致抗蚀剂层(21)显影，以便选择地去除光致抗蚀剂形成一种图案，

把高温金属氮化物层(16)蚀刻，使高温金属氮化物层(16)和光致抗蚀剂层(21)的图案一致，

使用非氧化光致抗蚀剂剥离剂除去剩下的光致抗蚀剂层，

在所述高温金属氮化物层(16)和所述第一表面的一部分上形成一个中间层(26，36，46)，其中中间层(26，36，46)在随后的高温环境中粘接到高温金属氮化物层(16)上，

将中间层(26，36，46)退火，

将中间层(26，36，46)平整化；以及

将一个处理衬底(24)结合到中间层(26，36，46)上，其中该中间层(26，36，46)将有源衬底(11)和高温金属氮化物层(16)同处理衬底(24)电绝缘。

2.按照权利要求1所述的方法，其中在第一表面上形成高温金属氮化物层(16)的步骤，包括在第一表面上形成金属氮化层(16)，其中金属氮化物层(16)在由氮化钛、氮化钒，和氮化钨组成的组中挑选；并且其中在高温金属氮化物层(16)和第一表面的一部分上形成中间层(26，36，46)的步骤，包括在高温金属氮化层(16)和第一表面一部分上形成一个介电层(17)，和在介电层(17)上形成一个第一多晶半导体层(18)，并且其中将中间层(26,36，46)退火的步骤，包括在形成第一多晶半导体层(18)的步骤之前，将介电层(17)退火以减小在介电层(17)中的应力，以及其中将中间层(26，36，46)平整化的步骤，包括将第一多晶半导体层(18)平整化。

3.按照权利要求2所述的方法，其中在高温金属氮化物层(16)和第一表面的一部分上形成中间层(26，36，46)的步骤，进一步包括在形成第一多晶半导体层(18)的步骤之前，在介电层上形成一个第二多晶体半导体层(19)，其中第二多晶半导体(19)的厚度实质上比第一多晶半导体层(18)的厚度更薄。

4.按照权利要求1所述的方法，其中在第一表面上形成高温金属氮化物层(16)的步骤，包括在第一表面上形成金属氮化层(16)，其中金属氮化物层(16)在由氮化钛、氮化钒和氮化钨组成的组中挑选，并且其中在高温金属氮化物层(16)和第一表面的一部分上形成中间层(26，36，46)的步骤，包括在高温金属氮化物层(16)和有源衬底(11)的第一表面的一部分上形成一个第一介电层(27)。

5.按照权利要求4所述的方法，其中在高温金属氮化物层(16)和第一表面的一部分上形成中间层(26，36，46)的步骤，进一步包括在第一介电层(27)上形成一个第二介电层(28)。

6.按照权利要求1所述的方法，其中将光致抗蚀剂层(21)进行显影的步骤，包括在蚀刻高温金属氮化物层(16)的步骤之前，将光致抗蚀剂层(21)显影而不用光致抗蚀剂硬化的步骤，并且其中蚀刻高温金属氮化物层(16)的步骤，包括在基本上由氯组成的活性离子蚀刻剂中，进行高温金属氮化物层(16)蚀刻。

7.按照权利要求1所述的方法，其中沉积光致抗蚀剂层(21)的步骤，包括沉积正性光致抗蚀剂，并且使用非氧化光致抗蚀剂剥离剂去除光致抗蚀剂层(21)的步骤，包括用含有碱性PH值的n—甲基吡咯烷酮的剥离剂去除光致抗蚀剂层(21)。