[发明专利]钕铁硼稀土永磁废料二次真空熔炼再生永磁体的方法无效
| 申请号: | 95101204.5 | 申请日: | 1995-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN1127797A | 公开(公告)日: | 1996-07-31 |
| 发明(设计)人: | 孟祥林;桂云栋 | 申请(专利权)人: | 孟祥林;桂云栋 |
| 主分类号: | C22C33/00 | 分类号: | C22C33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100012 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钕铁硼 稀土 永磁 废料 二次 真空 熔炼 再生 永磁体 方法 | ||
1.一种钕铁硼稀土永磁废料二次真空熔炼再生永磁体的方法,其特征在于终点产物为钕铁硼稀土永磁体。
2.根据权利1所述的钕铁硼稀土永磁废料二次真空熔炼再生永磁体的方法,其特征在于是钕铁硼稀土永磁废料加适量的铝进行第一次真空熔炼且充分搅拌造渣后浇铸合金钢锭。
3,根据权利1所述的钕铁硼稀土永磁废料二次真空熔炼再生永磁体的方法,其特征在于是一次熔炼后的钢锭再加入适量的Nd、Dy、Al、(Fe·B)合金等进行第二次真空熔炼后浇铸合金钢锭再进行常规工艺(制粉、取向压型、真空烧结和热处理)生产,可生产出钕铁硼稀土永磁体(B·H)max≥33MGsOe.
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