[发明专利]一种量子线超微细图形的制作方法

权利要求书

1．一种量子线超微细图形的制作方法，包括1)制作陡侧壁x光透射光栅作为初始的光栅光刻掩模；2)将初始光栅上的光栅图形转换为量子线刻蚀掩模上的图形；3)把量子线刻蚀掩模上的图形转换到半导体基片上，其特征在于，将光栅光刻掩模上的图形转换为刻蚀掩模图形的步骤为：

(1)．在衬底上涂支撑材料薄层；

(2)．利用X光光刻技术将初始光栅掩模图形转换到上述支撑材料薄层上，即支撑光栅；

(3)．在含两侧壁表面的支撑光栅表面上均匀镀金属膜薄层；

(4)．保留两侧壁上的金属膜，将其余部分金属膜层用干法刻蚀法刻去，即得到由依附在支撑光栅两侧壁上的金属镀层构成的量子线光刻掩模；

(5)．去除支撑光栅，即得到刻蚀掩模。

2．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述陡侧壁x光透射光栅的光栅侧壁与衬底表面法线之间夹角小于5°。

3．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述的支撑材料包括支撑层和过渡层，其中涂着在衬底上的支撑层材料是透x射线透明材料，涂在支撑层上的过渡层材料是x射线抗蚀剂。

4．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于在支撑光栅表面上均匀镀金属膜薄层是指在真空状态下，用溅射或蒸发的方法镀金属薄层。

5．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述镀金属薄层的厚度等于所需超微细图形中细线的宽度。

6．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述镀金属薄层时所用的金属是指不透x光的金属。

7．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述衬底能够由半导体基片代替。

8．如权利要求1或7所述的制作方法，其特征在于所述在半导体基片上的支撑材料涂层是x射线抗蚀剂。

9．如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述以x射线抗蚀剂作的支撑光栅上镀金属膜薄层中用金属是指耐反应离子刻蚀的金属。

10．如权利要求1所述的制作方法中用的量子线光刻掩模，包括有透明衬底和量子金属线图形，其特征在于所述衬底上设有陡侧壁的支撑光栅图形，所述量子金属线图形依附在支撑光栅的两个侧壁上。