[实用新型]制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置无效

专利信息
申请号: 94213499.0 申请日: 1994-06-10
公开(公告)号: CN2199219Y 公开(公告)日: 1995-05-31
发明(设计)人: 徐功骅;池宇峰;张克鋐;吴华武 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C30B29/62
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 制备 缺陷 氮化 硅晶须 装置
【权利要求书】:

1、一种制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置,其特征在于该设备由高温炉、化学反应器、尾气通道、尾气接收系统和氨气净化系统组成;所述的化学反应器放置在高温炉内;所述的尾气通道将反应器的一端与尾气接收系统相联,尾气接收系统由氯化铵接收器和尾气接收器组成;所述的氨气净化系统净化的氨气通过流量计后,经氨气入口管道进入反应器内。

2、如权利要求1所述的装置,其特征在于其中所述的尾气通道为一圆形管子,管子中由固定架支撑有氨气入口管道和加热管;所述的加热管内设有电热元件。

3、如权利要求1或2所述的装置,其特征在于其中所述的化学反应器为两端敞口的刚玉直管,中间放入刚玉制成的坩埚类反应舟。

4、如权利要求1或2所述的装置,其特征在于其中所述的化学反应器为两端敞口的刚玉弯管,弯管角度可为90°或360°,两个敞口相对位置为垂直方向或同一方向。

5、如权利要求1所述的装置,其特征在于其中所述的尾气通道为一圆形管子,管子中由固定架支撑有氨气入口管,管子外缠绕有电热元件。

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