[发明专利]磁性光学元件

权利要求书

1.一种由(Cd_1-X-YMn_XHg_Y)₁Te₁(0＜x＜1、0＜y＜1)表示的磁性光学元件，其特征是在MnTe-HgTe-CdTe的拟三元体系相图中，具有包含在由Mn_0.5Hg_0.5Te、Mn_0.6Hg_0.4Te、Cd_0.83Mn_0.13Hg_0.04Te、Cd_0.83Mn_0.05Hg_0.12Te4点所包围的范围内的组成，而且具有300μm以上的厚度，并且是由实际上不含双晶及组成偏析的单晶组成。

2.权利要求1所述的一种磁性光学元件，其特征还包括，实质上在0.98μm波段的波长范围内使用。

3.权利要求1所述的一种磁性光学元件，其特征还包括，实质上在1.017μm波段的波长范围内使用。

4.权利要求1所述的一种磁性光学元件，其特征还包括，实质上在1.047μm波段的波长范围内使用。

5.权利要求1所述的一种磁性光学元件，其特征还包括，实质上在1.064μm波段的波长范围内使用。

6.一种光隔离器，其特征在于，它是将权利要求1所述磁性光学元件作为法拉第旋转器制备而形成的。

7.一种光磁场敏感元件，其特征在于，它是将权利要求1所述的磁性光学元件作为法拉第旋转器制备而形成的。

8.一种由(Cd_1-X-YMn_XHg_Y)₁Te₁(0＜x＜1、0＜y＜1)表示的磁性光学元件的制造方法，该磁性光学元件在MnTe-HgTe-CdTe的拟三元体系相图中具有包含在由Mn_0.5Hg_0.5Te、Mn_0.6Hg_0.4Te、Cd_0.83Mn_0.13Hg_0.04Te、Cd_0.83Mn_0.05Hg_0.12Te4点所包围的范围内的组成，而且具有300μm以上的厚度，并且是由实际上不含双晶及组成偏析的单晶组成，该制造方法的特征在于包含原料准备工序、原料熔融工序、制成多晶体的工序和再结晶生长的工序，其中：

原料准备工序是以金属Cd、金属Mn、金属Te和金属HgTe组成的原料或者以金属Cd、金属Mn、金属Te和金属Hg组成的原料作为起始原料，其中，Te以外的元素的比例直接按规定的比例，而Te则以0.001以上至0.1以下过剩的比例进行配合；

原料熔融工序是将上述的起始原料置于维持相应于Hg的蒸气压的压力，以及维持能够将上述起始原料熔融的温度的气氛中，将上述的原料熔化成熔融的原料；

制成多晶体的工序是将上述熔融的原料通过快速冷却进行凝固而制成多晶体；

再结晶生长工序是将上述的多晶体置于维持相应于Hg的蒸气压的压力以及维持在比上述多晶体的相变温度要低的温度的气氛中，通过固相反应使上述的多晶体再结晶生长。