[发明专利]电照相的光敏元件,包括该元件的电照相设备和设备单元无效
| 申请号: | 94119854.5 | 申请日: | 1994-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN1102759C | 公开(公告)日: | 2003-03-05 |
| 发明(设计)人: | 高井秀幸;铃木幸一;杉山砂都美;国枝光弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06;G03G15/22 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈季壮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 照相 光敏 元件 包括 设备 单元 | ||
1.一种电照相光敏元件,它包括:载体和该载体上设置的至少一层光敏层,其中光敏层包括酞菁氧钛和由下式(1)表示的双偶氮颜料:其中:R1和R2独立地代表氢原子、卤原子、烷基或烷氧基;
R3和R4独立地代表氢原子、卤原子或氰基;以及
A和B独立地代表由以下基团(i)表示的偶合剂残基:
2.一种电照相的光敏元件,它包括:载体和该载体上设置的至少一层光敏层,其中光敏层包括酞菁氧钛和由下式(II)表示的双偶氮颜料:其中:R6和R7独立地代表氢原子、卤原子、烷基或烷氧基;以及
C和D独立地代表由以下基团(i)表示的偶合剂残基:
3.根据权利要求1或2的元件,其中所述酞菁氧钛具有一种晶型,其特征在于在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图型中由Bragg角(2θ±0.2度)规定的主峰为9.0度,14.2度,23.9度和27.1度。
4.根据权利要求1或2的元件,其中所述酞菁氧钛具有一种晶型,其特征在于在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图型中由Bragg角(2θ±0.2度)规定的主峰为7.6度,28.6度。
5.根据权利要求1或2的元件,其中所述酞菁氧钛具有一种晶型,其特征在于在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图型中由Bragg角(2θ±0.2度)规定的主峰为9.3度,26.3度。
6.根据权利要求1或2的元件,其中所述酞菁氧钛具有一种晶型,其特征在于在以CuKα特征X-射线为基础的X-射线衍射图型中由Bragg角(2θ±0.2度)规定的主峰为9.5度和27.3度。
7.根据权利要求1的元件,其中所述光敏元件包括层合的至少一层电荷产生层和一层电荷运送层,所述电荷产生层包括所述酞菁氧钛和所述式(I)的双偶氮颜料。
8.根据权利要求7的元件,其中所述电荷产生层具有单层结构。
9.根据权利要求2的元件,其中所述光敏层包括层合的至少一层电荷产生层和一层电荷运送层,所述电荷产生层包含所述酞菁氧钛和所述式(II)的双偶氮颜料。
10.根据权利要求9的元件,其中所述电荷产生层具有单层结构。
11.一种电照相装置,它包括:一种按照权利要求1或2所述的电照相光敏元件、一种用于给该电照相光敏元件充电的充电装置、一种对电照相光敏元件进行图像曝光形成静电潜像的图像曝光装置以及一种用调色剂使静电潜像显像的显像装置。
12.根据权利要求11的装置,其中所述充电装置包括一种直接充电元件。
13.一种电照相设备单元,它包括:一种按照权利要求1或2所述的电照像光敏元件和一种与电照相光敏元件接触和充电的直接充电元件。
14.根据权利要求13的单元,它还包括一种用于将电照相光敏元件上形成的静电潜像显像的显像装置。
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