[发明专利]外延向上生长方法和器件

权利要求书

1、一种制造隐埋掺杂区的方法，其特征在于包含有以下诸步骤：

(a)在半导体层上形成第一和第二结构，所述半导体层为第一层电类，而所述第一和第二结构在空间上是分开的，且每种都为和第一导电类型相反的第二导电类型；

(b)在所述第一和第二结构和所述的半导体层上形成外延层，所述外延层为有所述第一导电类型；以及

(c)在所述外延层上形成所述第二层电类型的区域，所述区域连接所述的第一和第二结构。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：

（a）所述半导体层为n型GaAs;

（b）所述第一和第二结构是P型GaAs;以及

（c）所述外延层是n型GaAs。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于：

（a）在权利要求1的步骤（c）中所述形成一区域采用离子注入法，而所述区域从所述外延层的表面扩展至所述的第一和第二结构。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：

（a）所述第二结构具有边缘呈球形的矩形棱柱体;

（b）所述第一结构具有平的侧壁;以及

（c）所述区域连接所述棱柱体的一末端至所述平的侧壁。

5、如权利要求4所述的方法，其特征在于进一步包含以下步骤：

（a）在权利要求1的步骤（b）中形成所述外延层之前，在所述半导体层上形成第三、四、……N个结构，N为大于2的正整数，所述第三、四……N个结构的每个均为边缘呈球形的矩形棱柱体，且平行于所述第二结构;以及

（b）其中所述的区域连接每一所述第二、三……N个结构至所述平的侧壁。

6、如权利要求5所述的方法，其特征在于：

（a）所述形成的第一、二……N个结构借助在所述第一导电类型的半导体层上沉积所述第二导电类型的第二外延层获得;以及

（b）去除所述第二外延层的一部分以产生所述的第一、二……N个结构。

7、一种制造垂直场效应晶体管的方法，其特征在于包含以下步骤：

（a）在第二导电类型的平面漏上形成多个第一导电类型的平行栅指;

（b）在所述平面漏上和所述栅指末端的间隔处形成所述第一导电类型的连接结构;

（c）在所述的栅指、连接结构和平面漏上形成外延层，所述外延层形成介于每一相邻的所述栅指间的沟道以及栅指上和所述沟道上的平面源;

（d）对所述外延层中一连接所述栅指的末端至所述连接结构的区域，使其导电类型从第一类型改变为第二类型。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于：

（a）在权利要求7的步骤中所述形成的栅指以及在权利要求7的步骤（b）中所述形成的连接结构的同时借助沉积所述第二导电类型的第二外延层，接着去除所述第二外延层的部分以得到所述的栅指和连接结构来进行。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于：

（a）所述平面漏电n型GaAs;

（b）所述第二外延层是P型GaAs;以及

（c）所述外延层是n型GaAs。

10、如权利要求9所述的方法，其特征在于：

（a）所述权利要求7中步骤（d）的改变导电类型是注入铍。

11、如权利要求10所述的方法，其特征在于进一步包含步骤：

（a）沉积金属接触至所述的源、漏和区域，其中所述区域延伸通过所述的外延层。

12、一种垂直场效应晶体管，其特征在于包含：

（a）多个稳埋于第一导电类型半导体腔内的平行栅指，所述第二导电类型的栅指和所述第一导电类型相反;

（b）所述第二导电类型的连接结构稳埋于所述腔体，并从所述的栅指间隔开;以及

（c）所述腔体的区域连接所述的栅指至所述的连接结构，所述的区域含有所述第一和第二导电类型两种掺杂剂，所述第二导电类型的掺杂剂浓度大于所述第一导电类型掺杂剂的。

13、如权利要求12所述的晶体管，其特征在于：

（a）所述栅指和所述连接结构是P型GaAs;以及

（b）所述腔体是n型GaAs。