[发明专利]非晶硅静电成像器

权利要求书

1、一种静电印刷用的非晶硅静电成象器，其特征在于：将“隔离层(或表面层)/感光层/阻挡层”结构作为一个静电成象单元，在园筒型或平板型铝基板的光洁表面上，首先沉积了第一个成象单元的阻挡层，再在其上依次沉积感光层和隔离层，形成第一个成象单元，紧接着在第一个成象单元的隔离层上再沉积第二个成象单元，再在第二个成象单元上沉积第三个成象单元，以此类推，在铝基板上重叠沉积多个成象单元，形成多单元串叠结构非晶硅静电成象器，其中包含成象单元的个数，根据静电成象器光电性能的要求确定。

2、按权利1所述的多单元串叠结构非晶硅静电成象器，其特征是全部成象单元的阻挡层只能用a-Si：H(P⁺)或a-Si：H(n⁺)形成，而且在一个静电成象器中，各成象单元阻挡层的导电类型必须是相同的，其余功能层均根据静电成象器性能要求采用任一种非晶硅系材料制成。各相应功能层的厚度和光电参数可以相同，也可不同，这些根据静电成象器的总体要求确定。

3、根据权利要求1所述的多单元串叠结构非晶硅静电成象器，其特征是在漏电流小的情况下，可以省略一个或几个成象单元的隔离层，仅最末一个(表面处)成象单元的表面保护层不能省略。

4、按权利要求1所述的多单元串叠结构非晶硅静电成象器，其中每个成象单元中三个功能层的材料及其几何参数和光电参数选取范围如下：表面层或隔离层：选用光学带隙宽度大于1.9ev的a-Sic，或a-SiN，或a-SiO₂等非晶硅系材料，暗电阻率为10¹⁴Ω·cm左右，厚度为0.5μm至3.0μm。感光层：选用超高阻非晶硅光敏材料，它们是a-Si：H(i)，或a-Si_1-xO_x：H(i)，或a-Si_1-xC_x：H(i)，或a-Si_1-xN_x：H(i)，或a-Si_1-xGe_x：H(i)，或其它多元非晶硅系合金，暗电阻率大于10¹²Ω·cm，暗电阻率/光电阻率≥10³，根据成象单元的多少，厚度取5μm至10μm。阻挡层：采用a-Si：H(n⁺)或a-Si：H(P⁺)材料，暗电阻率小于10³Ω·cm，厚度为0.5μm至3μm。