[发明专利]具有高集成度布线结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有高集成度布线结构的半导体器件，其特征在于：所述布线结构包括许多布线层以及形成于其间的接触孔，所述布线层在要形成接触孔的部分形成为第1布线宽度，而在其余部分形成为比所述第1布线宽度宽的第2布线宽度。

2.按照权利要求1的具有高集成度布线结构的半导体器件，其特征在于：形成所述多布线层，以使其彼此靠近。

3.一种具有高集成度布线结构的半导体器件的制造方法，所述布线结构包括许多布线层以及形成于其间的接触孔，所述制造方法包括下列步骤：

在半导体衬底上形成第1绝缘膜；

在形成有第一绝缘膜的半导体衬底上形成第1布线层，使要形成接触孔的部分具有第1布线宽度，而其余部分具有比所述第1布线宽度宽的第2布线宽度；

在其中形成有所述第1布线层的衬底上形成一第2绝缘膜；

刻蚀所述第2绝缘膜，从而在具有所述第1布线宽度的所述第1布线层部分之间形成接触孔；以及

在其中已形成所述接触孔的结构上形成第2布线层。

4.按照权利要求3的制造具有高集成度布线结构的半导体器件，其特征在于：所述第2绝缘膜的厚度至少为具有所述第2布线宽度的各部分第1布线层之间存在的距离的一半。

5.一种半导体存储器件的制造方法，该器件具有一个晶体管，该晶体管具有一个形成在半导体衬底上、其间加有栅绝缘膜的栅电极，以及形成在所述半导体衬底上、用所述栅电极彼此隔开的第1和第2杂质区，其特征在于包括下列步骤：

在所述形成晶体管的所述半导体衬底上，形成分别露出所述第1和第2杂质区的第1接触孔的第1绝缘膜；

在如此得到的形成了所述第1绝缘膜的结构上，形成分别通过所述第1接触孔与所述第1和第2杂质区相连接的第1和第2焊接点电极；

在如引得到的形成了所述第1和第2焊接点电极的结构上，形成分别具有露出所述第1和第2焊接点电极的第2接触孔的第2绝缘膜；

在如此得到的形成了第二绝缘膜的结构上，形成通过所述第2接触孔与所述第2焊接点电极相连接的多个位线电极，形成所述位线电极要使将要形成第2接触孔的部分形成为第1布线宽度而其余部分形成为比所述第1布线宽度宽的第2布线宽度；

在如此得到的形成了所述位线电极的结构上淀积第3绝缘膜、且刻蚀所述第3绝缘膜，从而用所述第3绝缘膜填充所述位线电极的所述第2宽度部分之间的间隔，并且在具有所述第1宽度的所述位线电极的侧壁上形成由所述第3绝缘膜构成的隔离；以及

利用所述第3绝缘膜和所述隔离作为刻蚀掩膜来刻蚀所述第2绝缘膜，从而形成第3接触孔，以便露出所述第1焊接点电极。

6.按照权利要求5的一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于：所述第3绝缘膜的厚度至少为具有所述第2宽度的那些所述位线电极部分之间的距离的一半。

7.按照权利要求5的一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于：用对任何一种各向异性刻蚀均具有与构成所述第2绝缘膜的材料不同的刻蚀速率的材料构成所述第3绝缘膜的材料。