[发明专利]电路基板连接件及用其制造多层电路基板的方法

说明书

本发明涉及将电路基板作电学和机械连接的电路基板的连接件，还涉及一种简单的用这种连接件制造多层电路基板的方法。

近来，随着电子器件向着小型、轻便化的发展趋势，要求作为电子器件一部分的装配基板具有高密度装配的性能。装配技术本身变成为开发新电子器件方面的一个主要因素。装配技术分为两类：1．表面装置部件，如半导体或芯片部件，2．包括其装配方法的将这些部件装配和电连接的基板。众所周知，为获得高集成密度和功能改进，半导体的芯片尺寸和引线端越来越大而多。所以引线端的间距趋于变窄。例如引线端间距，现在为0.3mm，而过去为0.5mm，间距若窄于0.3mm，仍采用常规焊法来装配那将是很困难的。认为板上装片(COB=Chip on Board)，将半导体直接装配在基板上，在将来比公知的“封装”更为重要。因而，在各个领域都在研究COB技术。再有，已开发出尺寸更小的芯片元件，所以直到如今每天都在使用1005芯片(1.0×0.5mm)。与半导体相类似，制造比该尺寸更小的芯片元件将是困难的，因为装配方法导致对尺寸减小的限制。此外，装配费用也会显著增加。

另一方面，电子器件中的主流是朝向数字电话和高频加速发展。其结果，装配基板再也避不开噪声和热问题。为克服高频和加速问题，现在实用的方法，是首先制造一个样品若有问题再修改。所以，大部分时间花在电子器件的开发上面，而这种方法都拖长了开发周期。希望将来进行基板的开发，在设计阶段进行热传输线及噪声的模拟，再将结果反馈给基板设计，所以一个样品对完成该工艺是足够的。该基板设计系统距完善的运作尚差很远。使用来自过去经验的“密决”的设计方法一时仍被认为是主流。总之，不让潮流趋向高频的对策肯定要根据布线短的基板和装配形式。

如上所述，表面装配元件及基板技术在将来对获得具有高装配密度的电子器件来说是很重要的环节。当前用的高密度装配基板一般是一种玻璃环氧基板。此类基板是用玻璃织品制作的，用环氧树脂浸灌，形成绝缘基板材料。过去开发了为供计算机所用的玻璃环氧多层板，但如今已被广泛供给用户使用。一种制作玻璃环氧多层板的方法包括如下步骤：

(1)用热压法将-Cu箔粘到用环氧浸灌的玻璃织品制作的材料(称为半固化片)上；

(2)用光刻技术，将Cu箔刻成图案，形成内层布线；

(3)再用热压法与另一半固化片和Cu箔形成多层叠层；

(4)在叠层上钻出通孔，通过电镀法，在通孔内壁形成Cu电极，因而将各层电连接起来；以及

(5)将Cu表面腐蚀成图案。

图6是此类玻璃环氧多层基板的示意图。参照图6，标号500代表由以环氧树脂浸注过的玻璃织品制作的绝缘基材；501代表内层的Cu布线；502代表在叠压的多层形成后所钻出的孔；503代表用电镀法在内壁形成的Cu层；以及504代表在最上层的电路图案。此铝孔工艺和通孔镀Cu是通过将这种玻璃环氧基材用于将内层与外层电连接起来的技术开发而建立起来的。此法也是周知的。

然而，从对未来的如上所述的高密度的要求来看，认为此法尚不合意。其原因在于，普通的玻璃多层板设有通孔，因而减少了布线空间。所以，当实施高密度布线时，所需的布线必须在途中打弯，因而拉长了布线。此外，因设有足够的布线空间，则难于用CAD(计算机辅助设计)进行自动布线。再有，随着钻孔变小的趋势，实施钻孔工艺也不是那么容易。事实上，这势必提高钻孔工艺在整个成本中的成本比率。不仅如此，从环保观点看，通孔所需的镀铜工艺也是个问题。

为了解决上述问题，在多层板领域又开发出数种新的多层板。首先，作为一种技术，应用一个钻床形成带有镀铜通孔基板的方法是形成SVH(半隐埋通路孔)多层板。形成SVH板的方法是不仅由通孔而且由表面上的通路连接构成的通路连接来形成，它能使布线密度比通孔型板更高。用绝缘树脂填充表面上的通路部分，然后在其上镀铜，以便在通路部分的顶上形成元件的装配焊盘。根据此法，在表面仅有用于插接元件的通孔，所以可高密度地装配元件。但此法是形成上述玻璃多层的改进技术，所以仍具有钻孔工艺中的困难和需要镀铜相同的问题。