[发明专利]声表面波滤波器无效
| 申请号: | 94109181.3 | 申请日: | 1994-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN1043104C | 公开(公告)日: | 1999-04-21 |
| 发明(设计)人: | 後宫忠正;家木英治 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹济洪,王岳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面波 滤波器 | ||
本发明涉及一种声表面波滤波器(下面称为SAW滤波器),它包括多个叉指换能器(下面称为IDT),这些IDT沿表面波传播方向排列在一个压电基片上,更具体地讲,是一种具有这样一种结构的SAW滤波器,该结构能够增加通频带附近的衰减量。
SAW滤波器的特点是尺寸小而且具有陡的滤波器的特性。因此,一般来讲,已经出现了各种结构的SAW滤波器并被应用。
图1是一种3个IDT型的SAW滤波器1的平面示意图,所示的SAW滤波器1是一种非常典型的普通声表面波滤波器。SAW滤波器1包括三个IDT 3到5,这些IDT排列在长方形压电基片2上。标号6和7表示反射器。在SAW滤波器1中;IDT3和5的第一梳形电极连接在一起以限定一个输入端,而IDT4的第一梳形电极作为输出端。IDT3至5的第二梳形电极接地电位。
图2是另一种非常典型的普通SAW滤波器8的平面示意图。SAW滤波器8包括两个IDT9和10,这两个IDT沿表面波传播方向排列在压电片2的上表面上。反射器6和7设置在IDT9和10的两侧。在这种两个IDT型的SAW滤波器8中,IDT9和10的第一梳形电极分别作为输入端和输出端。IDT9和10的第二梳形电极接地电位。
图3是又一种非常典型的普通SAW滤波器11的平面示意图。SAW滤波器11被称为叉指式的叉指型(下面称为IIDT型)SAW滤波器,这种SAW滤波器包括七个IDT12到18,这些IDT沿表面波传播方向排列在一个长方形基片2的上表面上。IDT12,14,16和18的第一梳形电极连在-起作为输入端,而IDT13,15和17的第一梳形电极连在一起作为输出端。IDT12到18的第二梳形电极分别接地电位。
这样一种IIDT型SAW滤波器是通过设置一些IDT12到18而构成的,所以,能够减少插入损失。
如上所述,为了减少插入损失已经出现了各种结构的SAW滤波器。但是,当要减少SAW滤波器中的插入损失时,就不能大幅度增加通频带附近的衰减量。特别是对于采用上述声表面波谐振器的SAW滤波器,通频带附近的衰减量还要减少。
为了增加通频频带附近的衰减量,SAW滤波器的级数可能增加,实现多级连接。但是,当增加SAW滤波器的级数时,不利的是插入损失与滤波器的级数成比例地增加。
所以,需要研制一种SAW滤波器,它既能增加通频带附近的衰减量,又不增加插入损失。特别是对于移动式通讯装置,例如手提电话,由于发射侧与接收侧之间的频率间隔太窄,所以,在通频带附近必须确保足够数量的衰减。但是,普通的SAW滤波器很难满足这样的要求。
本发明的目的是提供具有这样一种结构的SAW滤波器,这种结构能够增加通频带附近,特别是低于通频带的频率区域的衰减量。
根据本发明的SAW滤波器包括一个压电基片和多个叉指换能器,这些换能器沿表面波传播方向设置排列在压电基片上。这些叉指换能器用于形成一个SAW滤波器元件。本发明的SAW滤波器还包括至少一个单独的两端SAW谐振器,这个谐振器具有至少一个叉指换能器,这个谐振器与SAW滤波器元件的输入侧和输出侧的至少一侧并连,两端SAW谐振器的谐振频率设置在低于SAW滤波器元件的通频带的频率区域。
上述由多个IDT沿表面波传播方向排列在一个压电基片上而构成的SAW滤波器元件除了包括上述两个IDT型或三个IDT型的SAW滤波器以外,还包括一个IIDT型SAW滤波器。本发明的特征在于上面描述的这样一个SAW滤波元件并联着至少一个单独的两端SAW谐振器。
根据本发明,至少一个单独的两端SAW谐振器与SAW滤波器元件的输入侧和输出侧的至少一侧并连。这个两端的SAW谐振器是这样构成的,它的谐振频率fo设置在低于SAW滤波器元件的通频带的频率范围。在总的SAW滤波器的通频带特性中,由于两端SAW谐振器的谐振点设置在低于通频带的频率范围上,所以,能够增加低于通频带的频率范围的衰减量。
这样,与通频带相比在衰减区域的衰减量增加了,从而提高了滤波特性的陡度。所以,能够提供一种SAW滤波器,它能够适用于例如象手提式电话机这样的装置,这种手提式电话机的在发射侧与接收侧之间的频率间隔很窄。
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