[发明专利]二维辐射探测器无效

专利信息
申请号: 94107702.0 申请日: 1994-06-30
公开(公告)号: CN1034143C 公开(公告)日: 1997-02-26
发明(设计)人: 及川四郎;竹本隆之;加藤务;铃木四郎;谷冈健吉 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20;H01L27/146
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 二维 辐射 探测器
【权利要求书】:

1.一种获得被转换成电信号的X射线照相图像的二维辐射探测器,所述探测器包括:

用以将所述X射线照相图像转换成光学图像的闪烁体;

用以将所述光学图像转换成以电荷为基础的图像的光电导膜;

在所述光电导膜相对两面形成的半透明电极膜和扫描开关层;

连接至所述扫描开关层的驱动电路;

所述扫描开关层包括:

以矩阵形式排列并与所述光电导膜相接触的多个导体;

由场效应晶体管构成的多个开关元件;以及

将来自所述驱动电路的驱动信号加到所述开关元件的行导体;

其特征在于,所述扫描开关层还包括:

其上施加偏置电压的导体;

所述多个开关元件介于以矩阵形式排列的导体与其上施加偏置电压的导体之间;以及

所述半透明电极膜包括对应于所述以矩阵形式排列的导体之各列的列导体,每个所述列导体连接至一信号读出线。

2.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述闪烁体包括掺钠碘化铯(CsI∶Na)的一种针状晶体结构。

3.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述光电导膜包括硒(Se)为其主要成分的一种非晶态半导体层。

4.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述其上施加偏置电压的导体包括覆盖所述开关元件的均匀平面导体。

5.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述每个场效应晶体管的漏极连接至以矩阵形式排列的所述导体之一;其源极连同其它场效应晶体管的源极一起连接至其上施加偏置电压的所述导体;其栅极连同同一行的其它场效应晶体管一起经由所述行导体之一连接至所述驱动电路。

6.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述驱动电路包括用以产生低压电平的驱动信号,以逐行方式接通所述开关元件的接地部分;用以将所述驱动信号转换为具有偏压电平的驱动信号的未接地部分;以及用以在电气上隔离所述接地部分与所述未接地部分的隔离器部分。

7.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,每个所述列导体连接至一个信号读出电路,所述信号读出电路包括电荷读出前置放大器及积分电容器,以同时读取与所述以矩阵形式排列的导体的一行导体相对应之像素的信号,所述一行导体含有用所述驱动电路接通的所述开关元件。

8.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述列导体被划分成对应于以矩阵形式排列的多行所述导体。    

9.如权利要求1所述的二维辐射探测器,其特征在于,所述行导体被划分并设置成垂直于所述列导体而延伸,所述驱动信号同时施加到所述被划分的行导体中多个相应的行导体。

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