[发明专利]X射线摄像管无效
申请号: | 94103207.8 | 申请日: | 1994-03-24 |
公开(公告)号: | CN1093830A | 公开(公告)日: | 1994-10-19 |
发明(设计)人: | 户波宽道;四川隆久;竹本隆之;木材雄太郎;藤原菊男 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所;日本放送协会 |
主分类号: | H01J31/49 | 分类号: | H01J31/49;H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 摄像管 | ||
1、一种用以将透射的X射线图像转换为电信号的X射线摄像管,包括:
荧光元件,用以接收呈二维分布的透射X射线,并将该透射X射线转换为呈二维分布的可见射线;
半透明导电膜,它光耦合到荧光元件上与其X射线入射面相反的一面,该半透明导电膜承受一个高电压;
光敏膜,它层叠在半透明导电膜上,并包括一非晶半导体层,用以通过半透明导电膜将以二维分布透射的可见射线转换为按二维分布的电荷,并在加到半透明导电膜上的高压所形成的电场下,倍增按二维分布的电荷;以及
信号读出装置,它用以扫描光敏膜上与可见射线入射面相反的一面,读出光敏膜上形成的二维电位分布作为电信号。
2、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述非晶半导体层用硒作为其主要成分。
3、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述非晶半导体层在其相反的两面分别形成阻挡层,以阻挡电荷进入所述的非晶半导体层。
4、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述荧光元件具有针状晶体结构的搀钠(Na)碘化铯(GI:Na)结构。
5、如权利要求4所述的X射线摄像管,其特征在于,所述半透明导电膜紧贴所述荧光元件形成,所述荧光元件具有接触所述半透明导电膜的平滑面。
6、如权利要求4所述的X射线摄像管,其特征在于进一步包括设置在所述荧光元件与所述半透明导电膜之间的中间层,所述中间层具有至少一个相对所述半透明导电膜的平滑面。
7、如权利要求6所述的X射线摄像管,其特征在于,所述中间层为薄玻璃板。
8、如权利要求6所述的X射线摄像管,其特征在于,所述中间层是由其外表面之间相互联接的大量光纤集束而成的纤维板。
9、如权利要求8所述的X射线摄像管,其特征在于,所述纤维板也可以用作包括所述荧光元件,半透明导电膜和光敏膜在内的靶结构的支承基板。
10、如权利要求8所述的X射线摄像管,其特征在于,所述纤维板具有与所述半透明导电膜相对的球状凹形面。
11、如权利要求6所述的X射线摄像管,其特征在于,所述中间层是在所述荧光元件上形成的树脂层。
12、如权利要求6所述的X射线摄像管,其特征在于,所述中间层是在所述荧光元件上形成的氧化硅薄膜。
13、如权利要求6所述的X射线摄像管,其特征在于,所述中间层是在所述荧光元件上形成的二氧化硅薄膜。
14、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述信号读出装置包括用电子束二维扫描所述光敏膜的单电子枪。
15、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述信号读出装置包括二维设置在所述光敏膜上的一组开关元件。
16、如权利要求1所述的X射线摄像管,其特征在于,所述信号读出装置包括电子束发生装置,它包括:
用作电子束源的多个线状阴极,它们相对靶结构中荧光元件的一面并列设置,该靶结构包括所述荧光元件,所述半透明导电膜和所述光敏膜;
设置在所述线状阴极后面的多个背衬电极,它们分别与所述线状阴极成对应的关系;
设置在所述线状阴极前面并与之成对应关系的垂直会聚电极,用以产生相对所述背衬电极的电位梯度,由此仅允许所选的一个线状阴极产生电子束,并垂直会聚和推动所述电子束向前;
与所述线状阴极成对应关系设置的多个垂直偏转电极,用以垂直偏转已通过所述垂直会聚电极的电子束;
多个电子束流控制电极,作用于已通过所述垂直偏转电极的电子束,沿一条水平线依次转换所述电子束的路径;
与所述电子束流控制电极相关的多个水平偏转电极,用以水平偏转已通过所述电子束流控制电极的电子束;
多个加速电极,用以将已通过所述水平偏转电极的电子束拉向所述的靶结构;以及
用以在所述靶结构前对已通过所述加速电极的电子束进行减速的减速电极。
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