[实用新型]一种X射线图形掩模无效
| 申请号： | 93244852.6 | 申请日： | 1993-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN2177291Y | 公开（公告）日： | 1994-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;陈梦真;叶甜春;钱鹤;王润梅;王玉玲;孙宝银;曹振亚;欧文;张学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林业大学专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 10001*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射线 图形 | ||
【权利要求书】：
1、一种在基片上粘附金属图形的X射线图形掩模，其特征在于，它在掩模图形的金属线条侧边设置能够透过X射线并与掩模基片以及金属线条侧壁粘附的侧向支撑体。
2、按照权利要求1所述的X射线图形掩模，其特征为，所述基片为氮化硅片，所述金属图形是用金线条形成的图形，在所述基片与所述金属图形之间并有薄层钛作粘结层。
3、按照权利要求1所述的X射线图形掩模，其特征为，所述侧向支撑体是由支撑主体与粘结层组成，该粘结层处于该支撑主体与所述金属线条侧壁之间。
4、按照权利要求2和3所述的X射线掩模，其特征为，所述侧向支撑体是用二氧化硅作所述支撑主体，用薄层钛作所述支撑主体与所述金属线条侧壁之间的所述粘结层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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