[发明专利]一种短路限流保护器无效
| 申请号: | 93121324.X | 申请日: | 1993-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN1044756C | 公开(公告)日: | 1999-08-18 |
| 发明(设计)人: | F·艾克隆德;L·汉森 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东,曹济洪 |
| 地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 短路 限流 保护 | ||
1.一种电子短路电流限制器,它在额定电流下具有最小的功率损耗,在电流通路中包括一个MOS场效应晶体管(M1)和一个热敏电阻(R5),其中,所述MOS场效应晶体管(M1)由一个检测短路电流的检测电路所控制,其特征在于:所述电流限制器的构成是:
所述热敏电阻器(R5)受到由所述MOS场效应晶体管(M1)发出的热能的影响;
所述热敏电阻(R5)与所述MOS场效应晶体管(M1)电气地串联连接,其中流过所述MOS场效应晶体管(M1)与所述热敏电阻(R5)的串联连接的电流被监视;
所述MOS场效应晶体管(M1)的栅极在正常的工作状态下,借助于一电阻器(R4)和一稳压二极管(Z1)而被维持于一高电平,从而使MOS场效应晶体管(M1)在正常的工作状态下是完全导通的;
一个分压器(R3,R8),由两个电阻器构成,它跨接于所述MOS场效应晶体管(M1)和所述热敏电阻(R5)的串联连接;
一个第二晶体管(Q1),它的基极被连接到所述两个电阻器,(R3,R8)的接合处,该第二晶体管(Q1)还与稳压二极管(Z1)并联连接,从而当所述第二晶体管(Q1)导通电流时,即其基极的电位超过一阈值时,该稳压二极管(Z1)被该第二晶体管(Q1)所导通,以及
该电流限制器具有两个稳定状态;在第一稳定状态,所述第二晶体管(Q1)基本上不导通,而所述MOS场效应晶体管(M1)则完全导通,在第二稳定状态,所述第二晶体管(Q1)导通,而所述MOS场效应晶体管(M1)不导通,其中,该装置在MOS场效应晶体管(M1)的线性工作范围内不具有一种稳定状态。
2.根据权利要求1的电流限制器,其特征在于,所述热敏电阻器(R5)具有非线性的特性,其中随着电流的增加,在电阻器(R5)上的电压降迅速增加,而且在分压器(R3,R8)上的电压也迅速增加,第二晶体管(Q1)开始导通电流,随即引起MOS场效应晶体管(M1)转换到非导通状态。
3.根据权利要求2的电流限制器,其特征在于,一个电容器(C1)连接到第二晶体管(Q1)的基极,所以在晶体管(Q1)响应所述分压器(R3,R8)上的电压的增加在开始导通前提供了一个确定的时间常数,从而使MOS场效应晶体管(M1)的关断要延迟一段时间,该延迟时间对应于第二晶体管(Q1)的基极上的时延电路的RC乘积。
4.根据权利要求2的电流限制器,其特征在于,另一个分压器(R10,R11)它与所述分压器(R3,R8)相并联,一个第三晶体管(Q2),连接到第二晶体管(Q1)的基极,并以并联的方式连接在分压器(R3,R8)的电阻器(R8)的两端;分压器(R10,R11)的输出和另一电容器(C3)一道连接到第三晶体管(Q2)的基极,为的是在经过由另一分压器(R10,R11)与另一电容器(C3)的RC乘积所确定的一段时间后自动地复位电流限制器。
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