[发明专利]形成应激变空间有极界单磁极磁场的技术方法

权利要求书

1、一种获得空间单磁极性磁场的技术方法，其特征在于通过对磁性材料(磁性线圈、励磁体、恒磁体)构成磁体结构性处理，获得至少存在一个完全由磁极性界面界定的单磁极性空间磁场。该方法包括用磁性材料构成一个固定磁体结构，该磁体结构满足对同一磁极性磁力(粒子)线施加约束作用，并使之相互间发生碰撞，这种碰撞能够形成磁力(粒子)线激发态，极性磁力(粒子)线应激发生磁极转变，碰撞区形成单向阻逆磁镜性磁场极界面，变极后的群体磁力(粒子)线在界面界定下形成单磁极性空间磁场。

2、按照权利要求（1）中的方法，获得的磁场特征包括：至少有一个纯匀单磁名极性磁场区存在，该磁场区被磁极性界面封闭性围合，该磁场区由变磁极磁力（粒子）线同一磁名极的单极性磁力（粒子）线群体构成，至少有在非通过结构磁体的一条空间轴线两个对向，同一磁极性磁力效应存在;磁场中有磁极界面存在，磁极界面分隔不同磁名极单磁极磁场区;磁极界面有磁力（粒子）线向运动方向单向通过，阻止已通过该界面的电极性磁力（粒子）线发生极性磁力效应的单向磁镜作用。

3、一种按照权利要求1的方法，制成具有权利要求2特征的开式磁应激变空间有极界单磁极隧道效应基础磁场，其特征包括：磁性材料构成轴线非闭合的有孔隧道型固定或可由其它构件控制移动的磁体结构;由一个隧道内纯匀单磁名极磁场区，与两个隧道外两端各一的、磁名极与隧道内磁场区磁名极相反的非纯匀单磁名极磁场区、由磁极界面分隔界定、沿轴线连续排列的三个磁场区，构成L_N（S）｜L_S（N）｜L_N（S）形态空间磁场;任一单磁极性磁场区在界定区间有垂直于轴线、沿轴在界区间双向具有同一单磁极性磁力效应存在;特殊的，由一锥形纯匀单磁名极磁场区与一非纯匀单磁名极磁场区构成，L_N（S）｜L_S（N）型态空间磁场。

4、一种按照权利要求1的方法制成，具有权利要求2特征的闭式环形磁应激变空间单磁极隧道效应基础磁场，其特征是：磁体结构构成隧道轴线闭合的环形有孔空间隧道型磁场;环型隧道内空间为单一纯匀单磁名极磁场;磁场内任一垂直轴线切面，均呈沿轴双向单一磁名极性磁力效应。

5、一种应用权力要求3于式磁应激变空间有极界单磁极隧道效应基础磁场对物体或质体进行磁化的技术方法，其特征在于，使被处理物体或质体，通过静态或绕轴线旋转的开式磁应激变空间单磁极隧道效应基础磁场，使该物体或质体受到不同单磁极磁场区的连续换磁极的静态、或旋转态磁场的磁化处理;被处理物体置入该场内，对物体作单磁极性静态磁场、单旋磁场、互旋磁场及各类磁场的升降交变磁极性场的磁化处理。

6、按照权利要求5的方法，把待磁化磁性材料置入权利要求3的L_N（S）｜L_S（N）｜L_N（S）磁场中，使其长度超出两端磁极界面，可获得具有三个区段磁极性的恒磁体，该磁体的磁性特征是：沿磁体轴线呈L_N（S）-L_S（N）-L_N（S）两端为同磁名极奇数级磁性状态。同理，可制成有限区段的、有限区段长度的、非一的奇偶数级恒磁体。

7、一种由权利要求3开式L_N（S）｜L_S（N）|L_N（S）基础磁场磁体结构，与磁力弹性构件复合，构成磁力弹性机构的技术方法，以有限个磁性材料作为弹性磁体，联结或组合联结在连接外荷载的连接件上，构成磁力弹性构件，将这一磁力弹性构件在可导控下，置入开式基础磁场的纯匀单磁极隧道磁场区中，复合构成一个磁力弹性机构。这一方法包括，磁力弹性构件的运动路程，由基础磁场磁体结构或导向构件控制，拉压弹属性由弹性磁体斥磁力效应及在磁场区内的承荷运动方向确定，弹性强度由隧道磁场强度与弹性磁体磁强及磁极性面面积确定，弹性长度由纯匀单磁极磁场区的轴向长度或机械限定确定;回弹在磁极界面处有一定的磁力自封闭性。