[发明专利]双膜复合氢敏器件及其制备方法无效
| 申请号： | 93100070.X | 申请日： | 1993-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1029808C | 公开（公告）日： | 1995-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨海鹰;张金锐;陆婉珍 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工总公司石油化学科学研究院 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 石油化工科学研究院专利事务所 | 代理人： | 马文裕 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种双膜复合氢敏器件，其特征在于在氢敏器件表面上涂敷一种芳杂环高分子化合物的有机膜，所述的高分子化合物结构式为：
式中X1为-O-或-CH2-。
2、按照权利要求1所述的双膜复合氢敏器件，其特征在于氢敏器件是Pd-MOSFET氢敏探头、金属氧化物氢敏探头及其它对氢有明显响应特性的探头。
3、一种制备权利要求1所述的双膜复合氢敏器件的方法，其特征在于制备过程包括以下步骤：
（1）用水含量小小500ppm的N，N-二甲基甲酰胺将芳杂环高分子单体稀释成浓度为4～15重%的溶液;
（2）将（1）步得到的溶液0.2～0.4毫升滴加在氢敏器件的表面上;
（3）将（2）步处理的器件在60～70℃下烘烤，使探头表面树脂初步固化;
（4）将（3）步初步固化器件置于烘箱内，在氮气保护下升温至300℃，恒温2～3小时，使探头表面树脂充分固化，再冷却至室温即得到所需的双膜复合氢敏器件。
4、按照权利要求3所述的方法，其特征在于芳杂环高分子化合物的结构式为：
式中X1为-O-或-CH2-。
5、按照权利要求3所述的方法，其特征在于氢敏器件是Pd-MOSFET氢敏探头、金属氧化物氢敏探头及其它对氢有明显响应特性的探头。
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