[发明专利]多层膜材料体系无效
申请号: | 92115102.0 | 申请日: | 1992-12-24 |
公开(公告)号: | CN1098522C | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | J·米勒;D·P·A·皮尔逊;P·G·皮彻 | 申请(专利权)人: | 约翰逊马西有限公司 |
主分类号: | G11B11/10 | 分类号: | G11B11/10;H01F41/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,肖掬昌 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 材料 体系 | ||
1.一种溅射的Pt/Co多层膜材料体系,该体系具有0.1或更大的极性克耳旋转度,一方形极性克耳磁滞回线,和1000Oe以上的室温矫顽力,该体系包括一基片材料,包含由选自Pt,Pd,Co,Au和Ag构成的组中的一种金属形成的金属夹层,所述金属夹层的淀积厚度小于或等于200。
2.根据权利要求1的一种溅射的Pt/Co多层膜材料体系,其中所述材料体系具有超过3000Oe的矫顽力。
3.根据权利要求1的一种溅射的Pt/CO多层膜材料体系,其中所述材料体系具有超过4000Oe的矫顽力。
4.根据权利要求1的一种溅射的Pt/Co多层膜材料体系,其中所述材料体系具有超过5000Oe的矫顽力。
5.根据权利要求1的一种溅射的一种溅射的Pt/Co多层膜材料体系,其中所述金属夹层由Pt构成,且淀积厚度小于或等于100。
6.根据权利要求1至5中任一种溅射的Pt/Co多层膜材料体系,其中金属夹层为高达50的淀积状态厚度。
7.根据权利要求6的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中金属夹层为5-20的淀积状态厚度。
8.根据权利要求1的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中基片材料包括玻璃。
9.根据权利要求1的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中在基片材料上淀积有一层光学增强材料。
10.根据权利要求9的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中基片材料上淀积有一种包括硅或氮化硅的光学增强材料。
11.根据权利要求1的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中每层钴有小于或等于12的厚度,每层铂具有小于或等于24的厚度。
12.根据权利要求1的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中每一钴层有2-5厚度,每一铂层具有6-15厚度。
13.根据权利要求1的一种溅射Pt/Co多层膜材料体系,其中多层膜总厚度小于500。
14.包含权利要求1-13中任一权利要求的溅射Pt/Co多层膜材料体系的磁光盘。
15.一种用于制作权利要求1所述的Pt/Co多层膜材料体系的方法,该方法包括以下步骤:
(i)将金属夹层溅射淀积到基片材料上,和
(ii)将金属多层膜溅射淀积到该夹层上,在此步骤中至少基片和金属夹层之一承受包含高能粒子轰击的高温处理。
16.根据权利要求15的方法,其中基片材料和金属夹层两者均经受所述高温处理。
17.权利要求15或16的方法,其中所述多层膜的溅射淀积包括由到达能较低的粒子对该夹层进行轰击的步骤。
18.根据权利要求15或16的方法,其中对金属夹层的溅射淀积是在选自Ar、Kr和Xe组中之一种气体中进行的。
19.根据权利要求18的方法,其中对金属夹层的溅射淀积是在Ar气中实现的。
20.根据权利要求15或16方法,其中对金属的金属夹层的溅射率是小于或等于100/S。
21.根据权利要求20的方法,其中对金属的金属夹层的额定溅射率小于或等于10/S。
22.根据权利要求15或16的方法,其中多层膜的溅射淀积是在选自Ar、Kr和Xe组的一种或多种气体混合物中进行的。
23.根据权利要求22的方法,其中多层膜的溅射淀积是Ar中实现的。
24.根据权利要求15或16的方法,其中金属的多层膜的溅射率高达20/S。
25.根据权利要求15或16的方法,还包括一个对多层膜淀积后的热处理步骤。
26.根据权利要求25的过程,其中所述热处理步骤是在有氧气氛中实现的。
27.根据权利要求15或16的方法,其中金属多层膜包括铂和钴。
28.根据权利要求15或16方法,其中金属多层膜包括钯和钴。
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