[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 92112747.2 | 申请日： | 1992-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1074557A | 公开（公告）日： | 1993-07-21 |
| 发明（设计）人： | 河定旼;慎烘縡;金永郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/58;H01L21/28;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1、半导体装置，包括：
一焊接块，用于将半导体装置的金属导线电连接到所述半导体装置的管壳引线；以及
一覆盖住所述焊接块和所述金属导线的钝化层；其特征在于：
所述金属导线在其与焊接块间的接点处形成一钝角或圆角拐角，以抑制在后续的热处理步骤中在所述钝化层中产生裂纹。
2、根据权利要求1的半导体装置，其特征在于：
所述金属导线或所述焊接块由选自铝、钼、钨、金、铜及其合金构成的一组材料中任一种构成的。
3、根据权利要求1的半导体装置，其特征在于：
所述钝化层是由二氧化硅层、PSG层、掺硼或磷原子的二氧化硅层以及氮化硅层构成的一组中选出的单一材料层或由两层或更多层构成的组合层。
4、半导体装置，其特征在于：由在与内部金属导线的接点处具有圆形或钝角形拐角的焊接块构成。
5、根据权利要求4的半导体装置，其特征在于：
进一步包括在所述金属导线和所述焊接块的接合处具有一钝角或圆角形拐角的金属导线。
6、半导体装置，其特征在于：包括一具有圆形或钝角形拐角的金属导线。
7、根据权利要求6的半导体装置，其特征在于：
进一步包括将所述金属导线连接至所述半导体装置的管壳引线的焊接块。
8、根据权利要求7的半导体装置，其特征在于：
所述金属导线在其与所述焊接块的接合处形成有钝角或圆形拐角。
9、半导体装置，其特征在于：包括一按钝角或圆形凸出形状成形的金属层。
10、半导体装置，其特征在于：包括一具有钝角或圆形拐角的金属层;以及
形成于其上且由PSG层和氮化硅层构成的组合层。
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