[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件的方法，其中在半导体本体的表面上至少形成一个槽，该槽从表面延伸到半导体本体内，通过掩模用离子注入法，在该槽的一部分形成一掺杂区，其特征在于，将一正性光刻胶层制作在表面上与槽内；将待进行离子注入的区域的光刻胶层加掩蔽以防止受辐照，而光刻胶层不加掩蔽的部分受到第一次辐照，此后，通过一影象转变处理，使光刻胶层辐照过的部分变成不溶性物，在后续的第二次辐照步骤中，对待进行离子注入的区域的光刻胶层施加辐照，此后，经显影将上述的第一次辐照步骤时掩蔽着的光刻胶层部分除去；及第二次辐照步骤进行的辐照剂量，要比第一次辐照高。

2、按照权利要求1的方法，其特征在于，在形成光刻胶层前，使表面和槽的各侧壁都覆盖有绝缘层。