[发明专利]通过液相外延生长的M1-xNxTiAst-aPaO5波导

权利要求书

1、一种波导，它包括在MTiAs_1-(a+b)P_a+bO₅基片上的均匀的M_1-xN_xTiAa_1-aP_aO₅膜，其中

M和N各自独立地是钾、铷、钯或铊；

a是0至1；

b大于0、小于或等于(1-a)；

(a+b)大于0、小于或等1；

X是0至1；

所述的膜相对于所述的基片是异质处延的；所述膜的折射率比所述基片的折射率大至少约0.001；

其条件是，当M或N是铷时，膜中的铷的浓度等于其在基片中的浓度。

2、权利要求1的波导，其中b最大为0.3左右。

3、权利要求1的波导，其中a是0。

4、权利要求1的波导，其中（a+b）是1。

5、权利要求1的波导，其中M和N各自为钾、铷或铊。

6、权利要求5的波导，其中M和N各自为钾。

7、权利要求6的波导，其中b最大为0.3。

8、权利要求1的波导，其中的膜包括KTiOAs_1-aP_aO₄，基片包括KTiPO₅。

9、权利要求8的波导，其中a是约0.7。

10、权利要求1的波导，其中膜是KTiAs_1-aP_aO₄，基片是KTiAs_1-（a+b）P_（a+b）O₅。

11、权利要求10的波导，其中a是约0.4，b是约0.3。

12、权利要求1的波导，其中膜包括KTiOAsO₅，基片包括KTiAs_1-（a+b）P_a+bO₅。

13、权利要求12的波导，其中a是0，b是约0.2。

14、权利要求1或6的波导，其中膜的折射率比基片的折射率大出约0.001至约0.06。

15、权利要求14的波导，其中膜的折射率比基片的折射率大出约0.001至约0.03。

16、权利要求1的波导，其中膜的厚度为约0.5至约50微米。

17、权利要求16的波导，其中膜的厚度为约3至约5微米。

18、在KTiAs_1-（a+b）P_a+bO₅。基片上液相外延生长M_1-xN_xTiAs_1-aP_aO₅薄膜的方法，其中

M和N各自独立地是钾、铷、铯或铊;

a是0至1;

b大于0、小于或等于（1-a）;

（a+b）大于0、小于等于1;

X是0至1;

所述的膜相对于所述的基片是异质外延的，所述膜的折射率比所述基片的折射率大至少约0.001，其条件是，当M或N是铷时，膜中的铷的浓度等于其在基片中的浓度;

该方法包括下列工艺步骤：将基片晶种浸入适宜的助熔剂的过冷熔体中，由熔体中取出上述晶种，使其冷却，从而导致晶种上面的助熔剂溶液过饱和并生长出M_1-xN_xTiAs_1-aP_aO₅晶体膜。

19、权利要求18的方法，其中，助熔剂包括导致M_1-xN_xTiAs_1-aP_aO₅作为唯一稳定的固相而结晶化的钨酸盐、磷酸盐、砷酸盐、钼酸盐、硫酸盐、卤化物或它们的组合物。

20、权利要求19的方法，其中，助熔剂包括钨酸盐或磷酸盐加砷酸盐。