[发明专利]一个具有可控射束光点的偏转系统无效

专利信息
申请号: 91105784.6 申请日: 1991-07-18
公开(公告)号: CN1050442C 公开(公告)日: 2000-03-15
发明(设计)人: M·D·格罗特;J·P·约翰逊;D·J·贝奇斯 申请(专利权)人: RCA许可公司
主分类号: H01J29/70 分类号: H01J29/70;H01J29/76;H04N3/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正,王忠忠
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一个 具有 可控 射束光点 偏转 系统
【权利要求书】:

1.一种阴极射线管(110)的偏转装置,包括有:

一个抽真空的外壳,一个装在所述外壳一端的显示屏(22)和一个装在该外壳另一端的电子枪装置(44),所述电子枪装置产生一个电子束,该电子束在所述显示屏上的每个电子束着靶位置上形成一个射束光点(999);

一个用于产生第一水平偏转磁场的第一水平偏转线圈(10),和一个用于产生一个第一垂直偏转磁场的第一垂直偏转线圈(99),这两个磁场均位于所述电子束的一个射束通道的主偏转区内,电子束以改变所述射束光点的电子束着靶位置的方式而变化,这样相对于所述射束光点被偏转到一个第三射束着靶位置的情况而言,当所述射束光点被偏转到一个沿所述屏的水平轴(X轴)和垂直轴(Y轴)之一的一个第一射束着靶位置(3点处)时,和当其被偏转到一个沿所述屏的一个对角线轴的一个第二射束着靶位置(2点处)时,该射束点的一个主轴会变长,所述水平(10)和垂直(99)偏转线圈被包括在一个偏转系统中,该系统还包含一个磁芯(66),其中所述水平和垂直偏转线圈与所述磁芯磁耦合,其中所述第一不均匀磁场是由所述偏转系统的一个第三偏转线圈(11)所产生,它也与所述磁芯磁耦合,所述第三偏转线圈(11)形成一个可产生一个四极偏转磁场(11)的四极电路;

其特征在于:

第一(3点处),第四(12点处)和第二(2点处)射束着靶位置分别是指在所述显示屏(22)的所述水平轴一端,在该显示屏的所述垂直轴的一端和在该显示屏的一个角上;

装置(11)用于在所述射束通道的一个第一区中产生一个第一不均匀磁场,它包括一个时间变化磁场部分,所述第一不均匀磁场相对于所述电子束的一个横截面(999a)在该第一区中产生一个电子束透镜作用,其方式是根据射束着靶位置而改变,从而显著地减小所述射束光点的主轴在该第一和第二射束着靶位置处伸长的趋势;以及

一个射束光点象散校正装置(24),用于产生一个时间变化的第二不均匀磁场,该磁场在所述射束通道中的第一个第二区中根据射束着靶位置而改变,这个第二区的位置与所述第一区相比,离开所述显示屏的距离不同,该磁场相对于所述电子束的一个横截面(999a)在所述第二区内产生一个电子射束透镜作用,其方式是根据射束着靶位置而改变,从而降低当所述射束光点在每个所述第一和第二射束着靶位置时该射束光点呈现象散现象的程度。

2.根据权利要求1的偏转装置,其特征在于,由于所述显示屏的几何形状,所述射束光点(999)的所述主轴相对于射束光点处于所述第三射束着靶位置的情况,当所述射束光点沿着显示屏的另一垂直水平轴(Y轴)被偏转到一个第四射束着靶位置(12点处)时,该主轴会变长,所述第一不均匀磁场发生装置(11)根据射束着靶位置而改变所述第一不均匀磁场,从而减小所述射束光点的主轴在所述第四射束着靶位置伸长的程度。

3.根据权利要求2的偏转装置,其特征在于,所述电子束(999a)的所述横截面在所述第一区内被沿一个方向(X轴)聚焦,该方向即保持与一个在当前束着靶位置(X轴,对角线,Y轴)和显示屏中心之间的一根直线平行的方向,上述射束光点是处于所述第一,第二和第四射束着靶位置之一(3点处,2点处及12点处)。

4.根据权利要求2的偏转装置,其特征在于,所述第三偏转线圈包括一个第二水平偏转线圈(10a)和一个第二垂直偏转线圈(99a)。

5.根据权利要求5的偏转装置,其特征在于,所述第一(10b)和第二(10a)水平偏转线圈的绕组电流乘积分布包括分别在相反信号和同一谐波序列的谐波傅里叶分量。

6.根据权利要求1的偏转装置,其特征在于,所述射束光点被偏转到显示屏的一个角上时(2点处),所述第一不均匀场是这样一种类型,即由一个枕形水平偏转磁场仅与一个枕形垂直偏转磁场组合可在所述主偏转区(21)内的所述电子束通道附近产生上述第一不均匀场。

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