[发明专利]双极型晶体管的集成制造工艺

权利要求书

1、一种制作双极型晶体管的方法，包括下列步骤：

在基片上形成一由场绝缘体围绕的半导体池，

在所述的半导体池中形成基极、发射极和集电极半导体区，

形成一个覆盖在所述的发射极区上的导电多晶硅层，

形成与每一所述的基区、多晶硅和集电极区接触的金属条带，所述的多晶硅在所述的场绝缘体上横向延伸，

使所述的金属起反应以形成导电硅化物接触条带，以及，

形成与每一所述的硅化物接触条带相接触的端电极。

2、如权利要求1的方法，还包括：

形成嵌套结构的发射极区，其步骤是：

在所述基区上形成薄的绝缘层，在绝缘层中形成开孔，在所述开孔上形成重掺杂多晶硅层，通过该开孔与基区接触，在所述开孔周围的多晶硅上制作图形，以便在紧接开孔处形成薄的绝缘层。

3、如权利要求2的方法，还包括：

在所述的多晶硅上形成侧壁氧化物，

在所述的基区中形成非本征半导体基区，与所述侧壁氧化物自动对准。

4、如权利要求3的方法，进一步包括：

把所述的多晶硅的掺杂剂扩散至由所述开孔暴露的基区部分中形成发射极区。

5、如权利要求1的方法，进一步包括：

形成壁状结构的发射极区，其形成步骤为：在所述的基区上形成薄的绝缘层，

在所述的绝缘层上形成开孔，

在所述的开孔上形成重掺杂多晶硅层，通过所述开孔与所述的基区接触，在所述多晶硅上制作图形，使其边缘与所述开孔对准。

6、如权利要求5的方法，进一步包括：

把所述的多晶硅的掺杂剂扩散至被开孔暴露的基区部分内以形成发射极区。