[发明专利]集成复合传感器以及使用该集成复合传感器的静压和差压传送器

权利要求书

1、一种集成复合传感器，包含：

一传感器基片；

一支持所述传感器基片的固定基座；

一形成在所述传感器基片上的差压检测装置；和

一形成在所述传感器基片上的静压检测装置，

其特征在于所述静压检测装置具有：至少一个第一静压传感器，所述第一静压传感器具有一形成在与所述差压检测装置分开设置的静电检测薄片层的应变敏感检测元件；和至少一个第二静压传感器，所述第二静压传感器具有一形成在所述传感器基片的固定部分上的应变敏感检测元件；所述集成复合传感器进一步包含一处理装置，用于对所述第一静压传感器和第二静压传感器的输出信号进行处理以获得一个与差压无关的静压信号。

2、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于一还包含一温度传感器，所述温度传感器包括一应变敏感检测元件，设置在与所述静压检测装置分开的所述传感器基片的固定部分上。

3、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于形成在所述固定部分上的应变敏感检测元件设置得离所述差压检测薄片层的距离比形成在所述静压检测薄片层上的应变敏感检测元件离所述差压检测薄片层的距离为近。

4、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于把形成在所述静压检测薄片层上的应变敏感检测元件和形成在所述固定部分上的应变敏感检测元件设置由差压产生的应力相等的位置上。

5、如权利要求2所述的集成复合传感器，其特征在于所述差压检测薄片层从其表面相对到其应变敏感检测元件形成表面的蚀刻深度大体等于所述静压检测薄片层的蚀刻深度。

6、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于所述的传感器基片由单晶硅制成，所述的应变敏感检测元件包括在传感器基片通过搀杂形成的压阻元件。

7、如权利要求2所述的集成复合传感器，其特征在于具有信号处理装置对形成在所述差压检测薄片层上的应变敏感检测元件、形成在与所述差压检测薄片层分开设置的所述静压检测薄片层上的应变敏感检测元件、形成在所述固定部分上的应变敏感检测元件和检测温度应变不敏感检测元件的输出进行处理，并分别检测差压、静压和温度。

8、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于在所述静压和差压检测簿片层形成在具有｛001｝平面的单晶硅大圆片上，所述静压检测薄片层设置在所述差压检测薄片层的（110）方向上。

9、如权利要求1所述的集成复合传感器，其特征在于所述静压和差压检测薄片层形成在具有｛001｝平面的单晶硅大圆片上，在所述静压检测薄片层上形成的应变灵敏的检测元件和在所述固定部分上形成的应变灵敏的检测元件设置在所述差压检测薄片层的<100>方向上，并以<110>方向排列。

10、一种专门采用如权利要求1所述的集成复合传感器的智能传送器，包含包括检测差压、静压和温度的检测元件的传感装置，压力接收装置，用于保护所述传感装置和数据处理装置，用于对所述传感装置的输出信号进行运算处理，其中，所述的传感装置包含：

一传感器基片;

一支持所述传感器基片的固定基座;

一形成在所述传感器基片上的差压检测装置;和

一形成在所述传感器基片上的静压检测装置，

其特征在于所述静压检测装置具有：至少一个第一静压传感器，所述第一静压传感器具有一形成在与所述差压检测装置分开设置的静压检测薄片层的应变敏感检测元件;和至少一个第二静压传感器，所述第二静压传感器具有一形成在所述传感器基片的固定部分上的应变敏感检测元件;所述集成复合传感器进一步包含一处理装置，用于对所述第一静压传感器和第二静压传感器的输出信号进行处理以获得一个与差压无关的静压信号。

11、如权利要求10所述的一种专门采用如权利要求1所述的集成复合传感器的智能传送器，其特征在于所述的数据处理装置利用所述温度检测装置的输出校正温度变化对所述静压检测装置的输出所产生的影响，利用已校正的静压值校正静压变化对所述差压检测装置的所产生的影响。

12、如权利要求11所述的一种专门采用如权利要求1所述的集成复合传感器的智能传送器，其特征在于所述的数据处理装置包括一存储器，在该存储器中，静压或差压随温度变化的关系记录成三维映射数据，一微处理器，该微处理器根据存储在所述存储器中的数据对所述传感装置的检测值进行处理。