[实用新型]直立多片挤压式液相外延石墨舟无效

专利信息
申请号: 90223211.8 申请日: 1990-11-05
公开(公告)号: CN2080070U 公开(公告)日: 1991-07-03
发明(设计)人: 何胜夫;罗宗铁;董萍;魏文超;李向文;赵宇 申请(专利权)人: 中科院长春物理研究所
主分类号: C30B19/06 分类号: C30B19/06
代理公司: 中国科学院长春专利事务所 代理人: 宋天平
地址: 130021*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 直立 挤压 式液相 外延 石墨
【说明书】:

实用新型属于半导体光电子技术领域。

液相外延是制作LED芯片的主要手段。目前芯片生长是用衬底水平放置的滑动式石墨舟,如图1所示。衬底水平放置在凹槽中,源液置于液槽中,生长时将源液推至衬底上方,使之相接触。生长完成后,推开源液,停止生长。这种石墨舟每次只能生长一片,产量低。源液氧化膜落在衬底上形成缺陷;操作中容易划伤衬底上的外延层,使芯片的成品率下降。

为克服上述缺点,本实用新型提出一种可一次生长10片以上芯片,排除氧化膜干扰,外延表面不会被划伤的直立多片挤压式外延石墨舟。整个石墨舟用高纯石墨制成,由源液槽、生长室、废液槽和外罩箱组成。

图2是本实用新型的纵剖面图;

图3是图2中生长室1的俯视放大图;

图4是不同形状的衬底夹板的左视图。

下面结合附图对本实用新型的最佳实施例作详细说明。

生长室1是在一石墨板上开出的方孔。源液槽2盛放欲生长的源液3,源液上面放一带斜面的石墨压块4,源液槽的底部是带滤孔的过滤板6,该源液槽置于生长室的石墨板的上方。废液槽8是盛放生长完毕的源液,废液槽的上面有带方孔的盖板7,该废液槽置于生长室的石墨板的下方。源液槽和废液槽可沿生长室的石墨板一起滑动。此三部分均置于石墨外罩箱10中,外罩箱上方装有对压块施压的带有斜面的石墨压板5。

图3所示的生长室两侧各放一片衬底夹板11,薄石墨片12插入夹板的凹槽里,将生长室隔成多个小生长室,每片薄石墨片的两侧各放一片衬底13。更换不同槽距的衬底夹板,可调整二片衬底间的间距(即源液的厚度)。使用不同形状的衬底夹板,可适用于不同形状的衬底。矩形衬底可选用图4(a)所示形状的衬底夹板,图形和半圆形的衬底可选用图4(b)所示形状的衬底夹板。

当外延生长时,按图2箭头所示方向移动源液槽,压块受压板的挤压将源液经过滤板压入生长室,与衬底表面接触,氧化膜则留在源液槽里。生长完成后,再向前移动源液槽,源液经盖板的方孔落入下面的废液槽中,使源液与衬底分离,停止生长。若生长多层外延层时可设多个源液槽与废液槽,重复上述操作就得多层外延层。

本实用新型的优点:

(1)衬底直立放置,缩小了空间,可多片(10片以上)同时生长,提高了产量;

(2)设计了各种衬底夹板,可进行任意形状衬底的外延生长,提高了衬底的使用面积;

(3)采用带过滤板的源液槽,可滤掉源液的氧化膜,改善了外延层表面形貌与结晶质量,外延层厚度均匀,层间界线平直;

(4)藉助挤压装置使源液注进与泄出生长室,消除了外延表面被划伤的弊病,表面平整光亮,成品率高;

(5)该石墨舟适用于多种半导体光电材料的液相生长,如GaAs,GaP,InP,GaAlAs,InGaAsP等,是通用性强的实验室与工业生产型外延用器具。

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